Собственная проводимость явл. Химически чистые полупроводники, а их проводимость наз. Собственной проводимостью. При 0К и отсутсвии других внешних факторов собств. полупровд ведут себя как диэлектрики. При повышении темпер. электорны верх. уровней валетной зоны могут быть переброшены на нижние уровни зоны проводимости.
Проводимость собств. полупровод. обусловленная электронами наз. электронной проводимостью или проводимостью n – типа. В результате тепловых забросов электронов из зоны I в II в валентной зоне возникают вокантные состояния – дырки. Проводимость собст. полупровод. обусловленная квазичастицами – дырками, наз. дырчатой проводимостью или проводимостью р – типа. Т.о. в собств. полупров. наблюд. два механизма проводимости: электронный и дырчатый.
Проводимость полупроводников всегда явл. вынужденной, т.е. появл. только под действием внешн. факторов(темп. облуч. сильных электромагн полей)
Для переброса электрона с верх. уровня валент зоны на нижний уровень зоны проводимости затрачивается энергия активации равная ширине запрещ. зоны.
Приместная проводимость полупроводников. Проводимость полупроводников обусловл. примесями наз. примесной проводимостью, а сами полупров. – примест. полупроводниками. Наличие в полупров. примеси существенно изменяет его проводимость. В полупров. с примесью валентность которой на ед. больше валентности основных атомов, носителями тока явл. электроны возникает электронная прмесная проводимость. Примесями являющимися источниками электронов наз. донорами а энергетические уровни этих примесей – донорными уровнями.