рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

Работа сделанна в 2002 году

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ - Реферат, раздел Химия, - 2002 год - Туннельный эффект в химии, физике Список Использованных Источников. Компьютерра. Нанотехнологии. 1997, 41 66 С....

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ. Компьютерра. Нанотехнологии. 1997, 41 66 с. 2. Физика микромира. Маленькая энциклопедия. Гл. редактор Д.В. Ширков. М Советская энциклопедия , 1980 528 с илл. 3. данные из сети Internet, сайт Лекции по теории Элементарного акта химических реакций 5 , ссылка на Туннельный эффект в химии. http www.chem.msu.su rus teaching vorob ev 5.html 2 4. Кожушнер М.А. Туннельные явления М. Знание, 1983 64 с Новое в жизни, науке, технике.

Серия Физика , 3 . 5. Двухуровневое прямое динамическое изучение реакции Дильса-Альдера для этилена и 1,3-бутадиена. Dual-level direct dynamics study on the Diels-Alder reaction of ethylene and 1,3-butadiene Нuang Сhun-Huei, Tsai Li-Chao, Hu Wei-Ping J. Phys. Сhеm. А 2001 105, 43 С. 9945-9953 Англ. Цит по Р Ж Хим 2002 19Б1.90 6. Вклад туннелирования во вторичные изотопные эффекты. The contribution of tunneling to secondary isotope effects Saunders Nilliam H. Jr Croat. Сhem. acta 1992 -65, 3 с. 505-515 Англ. рез. серб хорв. цит по Р Ж Хим1994, 3Б448. 7. Четыре новых структуры фосфатов Мо5 образованных изотопными кластерами Mo12MPSX62. Four new Mo V phosphate structures built up of isotypic Мо12МР8Х 62 clusters Leclaire А Guesdon А Berrah F Borel М. М Raveau В. J. Solid State Chem 1999 145, 1 С. 291-301 Англ. Цит по Р Ж Хим 2002 19Б2.62 8. Динамика распада атомов И твердого водорода при 4,2 К. Контролирующий фактор туннельной реакции Н napa-Н2?пара-Н2 Н. Decay dynamics of Н atoms in solid hydrogen at 4,2 k. controlling factor of tunneling reaction Н para-Н2 ?рага-Н2 Н Miyazaki Tetsuo, Mori Shoji, Nagasaha Toshimitsu, kumagai Jun, Aratono Yasuyuhi, kumada Takayuki, l. Phys. Chem. А 2000 104, 42 С. 9403-9407 Англ.цит по Р Ж Хим 2002 19Б2.318 9. Анализ мезанизмов переноса тока, определяющих характер обратных вольт-амперных характеристик барьеров металл - CaAs Булярский С. В Жуков А. В. Физ.и техн. полу провод 2001 35, С С. 560-563 Рус. Цит по Р Ж Хим 2002 19Б2.347 10. данные из сети Internet, сайт Живой Интернет, ссылка на в США создан самый маленький компьютер . http www.li.ru news news-575378.shtml 11. Роль атомных ансамблей в реакционной способности биметаллических электрокатализаторов.

The role of atomic ensembles in the reactivity of bimetallic electrocatalysts Магоun F Ozanam F Magnussen О. М Behm К 1. Science 2001 293, 5536 С.1811- I81 4 Англ. Цит по Р Ж Хим 2002 19Б3.191. 12. данные из сети Internet, сайт Виртуальная лабораторная работа http www.nanotechnology.nm.ru laborat.html 13. данные из сети Internet, сайт МГТУ Сканирующая туннельная микроскопия.

Аппаратура, принцип работы, применение. http www technical.bmstu.ru stm Parts1 Parts2 index.htm 14. Индуцирование десорбции органических молекул с помощью сканирующего туннельного микроскопа теория и эксперимент.

Inducing desorption of organic molecules with а scanning tunneling microscope theorv аnd esperiments Alavi S Rousseau R Patitsas S. N Lopinshi G. P Wolkow R A Seideman Т. Pnys. Rev. I.ett 2000 85, 25 С. 5372-5375 Англ. Цит по Р Ж Хим 2002 19Б2.530 15. Изучение обратимого фазового перехода между метастабильными структурами Si 111 с2х8 и I x I четодоч сканирл юшей туннельной микроскопии. Scanning tunneling microscopy studies on the reversible phase transition between metastable structures of Si 111 c2x8 and I xl Chida M Tаnishiro Y Minoda H Yagi k. Surface Sci 1999. -441, 1 С. 179-191 Англ. Цит по Р Ж Хим 2002 19Б2.528 16. данные из сети Internet, сайт ПЖТФ, 2000, том 26, выпуск 17 http www.ioffe.ru journals pjtf 2000 17 17. Изучение с применением сканирующей туннельной микроскопии, спектроскопии потерь энергии электронов высокого разрешения и теоретических методов адсорбции триметилфосфина на поверхности 111 - 7х7 Si. Scanning tunneling microscopy, high-resolution electron energy loss spectroscopy, and theoretical studies of trimethylphosphine ТМ Р on а Si 111 - 7x7 surface Fukuda Y Shimomura М Kaneda С Sanada N Zavodinsky V. С Kuyanov I. A Chukurov Е. N. Surface Sci 1999 442, 3 C. 507-516 Англ. Цит по Р Ж Хим 2002 19Б2.508 18. Изучение методами спектроскопии потерь энергии электронов высокого разрешения и сканирующей туннельной микроскопии адсорбции и поверхностной структуры трет-бутилфосфина ТБФ на поверхности GaР 001 - 2х4 . Adsorption of t-butylphosphine TBP on GаP 001 - 2x4 and the surface structure studied by HREELS and STM Fukuda Y Sekizawa Т canada N. Surface Sci 1999 432, 3 С. 1.595-1.598 Англ. Цит по Р Ж Хим 2002 19Б2.510 19. Локальная зондовая модификация атомной структуры туннельно-прозрачных пленок оксида кремния Юхневич А. В Лосик О. П Кузнецов В. Л Паненко А. В. Санкт-Петербург, ст. Петергоф, Университетский пр 2 1 Всероссийская конференция Химия поверхности и нанотехнология , Санкт- Петербург- Хилово, 27 сент 1 окт 1999 Материалы конференции СПб, 1999 С. 95 Pyc. Цит по Р Ж Хим 2002 19Б2.436 20. Изучение супрамолекулярных объектов методом сканирующей туннельной микроскопии Суровцев И. С Михалев О. А Битюцкая Л. А Мамуга М. В Татарников С.В. Санкт-Петербург, ст. Петергоф, Университетский пр 2 1 Всероссийская конференция Химия поверхности и нанотехнология , Санкт- Петербург- Хилово, 27 сент 1 окт 1999 Материалы конференции СПб, 1999 С. 119 Pyc. Цит по Р Ж Хим 2002 19Б2.448 21. Изучение роста и образовании сплава методами фотоэлектронной спектроскопии и сканирующей туннельной микроскопии.

Growth and alloy formation studied by photoelectron spectroscopy and STМ Ramstad А Strisland F Raaen S Worren Т Borg А Berg С. Surfасе Sci 1999 425, 1 С. 57-67 Англ. Цит по Р Ж Хим 2002 19Б2.536. 22. Изучение методом сканирующей туннельной микроскопии in situ осаждения при недонаприжении меди на поверхностях 100 Pt-электродов, покрытых монослоем иода. Iп situ scanning tunneling microscopy of under potential deposition of copper at Pt 100 electrodes coated with an iodine monolayer Shue С Н Yau S L. ,J. Рhys. Chem. В 2001 105, 23 С.5489-5496 Англ. Цит по Р Ж Хим 2002 19Б2.537 23. Получение изображений с высоким разрешением структуры поверхности Мо2С 0001 v 3 хv 3 R30 методом сканирующей туннельной микроскопии. High resolution images of Mо2С 0001 - v 3 xv 3 R30 structure bу scanning tunneling microscopy Lо R L Fukui k Otani S Iwasawа Y . Surface Sci 1999 440, 3 С. 1857-1 862 Англ. Цит по Р Ж Хим 2002 19Б2.540 24. Магнитные и электрические свойства Sr2FeMоО6. Magnetic and electric properties of Sr2FeMoО6 Sanchez К. D Niehieshihiiiat О Caneiro A Morales L,Vasquez- Mansilla M Rivadulla F Hueso L F ,l. Маgn. and Magn Mater 2001 226-230, ч. 1 С. 895-897 Англ цит по Р Ж Хим 2002 19Б2.363 25. Изготовление нанопроволок Со Si на пассивированных водородом поверхностях Si 100 с помощью сверхвысоковакуумной сканирующей туннельной микроскопии.

Fabrication of Со Si nanowires by ultrahigh-vacuum scanning tunneling microscopy on hydrogen- passiivated Si 100 surfaces Palasantzas С llge В De Nijs, l Geerligs г l. J. АррI Phys 1999 85 3 С 1900 - Aнгл. Цит по Р Ж Хим 2002 19Б2.483 26. Исследование электрофизических свойств поверхности алмазоподобных пленок, легированных медью Голубок А. О Масалов С. А Розанов В. В Иванов-Омский В.И Ястребов С. Г Звонарева Т. К. Санкт-Петербург, ст. Петергоф, Университетский пр 2 1 Всероссийская конференция Химия поверхности и нанотехнология , Санкт-Петербург Хилово, 27 сент 1 окт 1999 Материалы конференции СПб, 1999 С. 131 Рус. Цит по Р Ж Хим 2002 19Б2.450 27. Управляемый синтез анизотропных наночастиц железа и наноструктур из них Шорохов В. В Губин С. П Обыденов А. Ю Солдатов Е. С Трифонов А. С Хомутов Г. Б. Санкт-Петербург, ст. Петергоф, Университетский пр 2 1 Всероссийская конференция Химия поверхности и нанотехнологии , Санкт- Петербург - Хилово, 27 сент 1 окт 1999 Материалы конференции СПб, 1999 С. 94-95 Рус. Цит по Р Ж Хим 2002 19Б2.608 28. данные из сети Internet, сайт Сканирующая зондовая микроскопия http wwwspm.genebee.msu.ru members gallyamov gal yam gal yam1.html 29. Компьютера.

Физики шутят? 2000, 35 30. Борисенко В.Е. Наноэлектроника - основа информационных систем XXI века. Соросовский образовательный журнал. 5, 1997 . 31. данные из сети Internet, сайт ТЕLA поисковая система ссылка на туннельный диод. http www.tela.dux. ru tela pager.pl? 32. Расчет методом теории функционала плотности токов электронного туннелирования.

Молекулярные орбитали реального пространства сеточная схема и молекулярные орбитали гауссова типа. DFT Calculation of Electron tunneling currents.

Real space grid molecular orbitals vs. Gaussian-type molecular orbitals Wang J Stuchebrukhov А. А. In t. J. Quantum Chem 2000 80, 4-5 С. 591-597 Англ. Цит по Р Ж Хим 2002 19Б1.5 33. Неэмпирическое изучение туннелирования электронов на дальние рассеяния в металлоорганических системах биологической природы.

Аb-initio calculations of long distance electron tunneling in organometallic systems of biological origin Stuchebrukhov А. А. Int. J.Quantum Chem 2000 77, 1 С. 16-26 Англ. Цит по Р Ж Хим 2002 19Б1.41 34. Перенос носителя через металл-полимерные перегородки. Carrier transport across metal-polymer barriers Assadi A Fu Y Willander M Svensson Jap. J. Appl. Phys. Pt 1 1993. -32, 4 с. 1696-1699 Англ. цит. По Р Ж Хим 1994, 7С191 35. Межмолекулярные потенциалы, внутренние движения и спектры ван-дер-ваальсовых и II-связанных комплексов.

Intermolecular potentials, internal motions, and spectra оf van der Waals and hydrogen-bonded complexes Wоrmег Paul Е. S Van der Avoird Ad Chem. Rev 2000 100, 11 С. 4109-4143 Англ. Цит по Р Ж Хим 2002 19Б1.52 36. Делоне Н.Б. Туннельный эффект.

Соросовский образовательный журнал. 1, 2000 .

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Туннельный эффект в химии, физике

Ключевые слова туннельный эффект, туннельный диод, сканирующий микроскоп, потенциальный барьер, туннелирование. Реферат рассматривает всё многообразие использования туннельного эффекта… Новое явление, называемое туннелированием, позволило объяснить многие экспериментально наблюдавшиеся…

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

ТЕОРИЯ ТУННЕЛЬНОГО ЭФФЕКТА
ТЕОРИЯ ТУННЕЛЬНОГО ЭФФЕКТА. Туннельный эффект - квантовое явление проникновения микрочастицы из одной классически доступной области движения в другую, отделённую от первой потенциальным барьером ри

Туннельные химические реакции
Туннельные химические реакции. Для химии наиболее интересным является туннелирование более тяжелых объектов - атомов и групп атомов. Одним из первых экспериментальную проверку эффектов тунне

Туннельный эффект при синтезе ядер тяжёлых элементов
Туннельный эффект при синтезе ядер тяжёлых элементов. Термоядерная реакция-это реакция синтеза тяжёлых ядер из более лёгких. В таких реакциях может выделяться очень большая энергия. Если бы

Туннелирование электронов в твёрдых телах
Туннелирование электронов в твёрдых телах. В 1922 г. было открыто явление холодной электронной эмиссии из металлов .под действием сильного внешнего электрического поля. Оно сразу поставило физиков

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги