рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Зависимость количества адсорбированных молекул от температуры

Работа сделанна в 1999 году

Зависимость количества адсорбированных молекул от температуры - Дипломный Проект, раздел Геология, - 1999 год - Разработка анализатора газов на базе газового сенсора RS 286-620 Зависимость Количества Адсорбированных Молекул От Температуры. Ударяяс...

Зависимость количества адсорбированных молекул от температуры.

Ударяясь о поверхность твердого тела молекулы газа адсорбируются. Время адсорбции или пребывания молекул в адсорбированном состоянии зависит от теплоты адсорбции и описывается уравнением Френкеля ta t0 exp Qa RT 7 Где t0 -минимальное время пребывания молекулы в адсорбированном состоянии. По порядку величины t0 соответствует значению 10-13 с. Qa -теплота адсорбции, рассчитанная на моль газа. Основные составляющие воздуха имеют теплоты адсорбции на различных поверхностях в пределах от 10 до 20 кДж кмоль.

Время их адсорбции при комнатной температуре составляет порядка 10-10 с Для нахождения зависимости количества адсорбированных молекул от температуры воспользуемся условием постоянства степени покрытия отношения площади адсорбированных молекул к площади поверхности адсорбирующего тела . 8 Условие адсорбционного равновесия на поверхности заключается в равенстве скоростей испарения и конденсации молекул. Величина aм количество молекул, необходимое для образования монослоя на поверхности твердого тела. 9 Где Q степень покрытия поверхности.

Из последнего уравнения следует. Q m n 10 Величина n определяется как скорость испарения газа с поверхности, покрытой мономолекулярным слоем. n aм ta 11 Значение m определяется как количество ударившихся о поверхность молекул, помноженное на вероятность поглощения молекулы газа на поверхности 12 Подставляя 12 и 11 в 10 и учитывая выражение для ta имеем 13 Подставляя в 13 выражение для n P kT получаем окончательное выражение 14 Для определения количества примесных носителей заряда в полупроводниковой пленке, адсорбировавшей примесь необходимо подставить в 3 и 4 выражения для количества атомов примесей, полученные из 14 Предполагая независимость f от температуры получаем.

Nd Q S0 15 В последнем выражении A P, S0 независящая от температуры и свойств полупроводника константа. Na -постоянная Авогадро. Из последнего выражения видно, что на количество электронов в зоне проводимости оказывают влияние два конкурирующих процесса - выброс электронов в зону проводимости, увеличивающийся с ростом температуры, и уменьшение количества примесных уровней с ростом температуры. В приложении приведены графики зависимости 15 как функции температуры для различных значений параметра Ed-F .

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Разработка анализатора газов на базе газового сенсора RS 286-620

Универсальный анализатор газовой смеси является одним из периферийных блоков системы и предназначается для мониторинга содержания различных… В ходе работ над проектом изучались различные методики мониторинга химического… После разностороннего анализа имеющихся возможностей было установлено, что применить для решения поставленной задачи…

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Зависимость количества адсорбированных молекул от температуры

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Возможные пути решения
Возможные пути решения. В настоящее время в прикладной химии одним из наиболее распространенных методов контроля состояния окружающей среды является газовая хроматография. Хроматография - гибридный

Что сделано другими разработчиками в этом направлении
Что сделано другими разработчиками в этом направлении. Среди работ по изучению свойств полупроводников заметную роль занимают работы по изучению взаимодействия полупроводниковых пленок и хим

Обзор современных полупроводниковых газовых датчиков
Обзор современных полупроводниковых газовых датчиков. При изучении электрических свойств полупроводников было установлено, что их проводимость существенно меняется при появлении в полупроводнике пр

Обзор микроконтроллеров для обработки сигналов
Обзор микроконтроллеров для обработки сигналов. При выборе микроконтроллера для прибора выдвигались следующие требования Совместимость уровней и длительностей сигналов с остальными блоками системы

Выбор элементной базы для измерительной части
Выбор элементной базы для измерительной части. Назначением измерительной части прибора является измерение сопротивления на чувствительном элементе газового датчика, его преобразование в цифр

Выбор устройства отображения информации
Выбор устройства отображения информации. Для отображения результатов измерений и служебной информации необходимо применение точечно-матричного индикатора. В настоящее время существует 3 осно

Описание сенсора RS
Описание сенсора RS. Сенсор RS 286-620 производства RS-Components представляет собой тонкопленочный полупроводниковый датчик для определения загрязненности воздуха. Датчик состоит из нагревателя и

Физические основы работы прибора
Физические основы работы прибора. В изолированном атоме энергетический спектр электронов дискретный. Заполнение энергетических уровней осуществляется по определенным правилам. При этом в s-с

Гипотеза линейной аддитивности сигналов
Гипотеза линейной аддитивности сигналов. Очевидно, что чем больше концентрация молекул в окружающем газе, тем больше число молекул, абсорбированных на поверхности тонкопленочного чувствитель

Особенности построения алгоритма определения концентраций
Особенности построения алгоритма определения концентраций. Как было показано выше для определения концентраций примесей в газовой смеси необходимо решить систему из n уравнений 20 . Однако, среди и

Соответствие между термограммами и парциальными проводимостями
Соответствие между термограммами и парциальными проводимостями. В процессе работы прибора на нагреватель чувствительного элемента подается периодическая последовательность импульсов напряжения.

Принципы работы прибора
Принципы работы прибора. В приборе использовался полупроводниковый сенсор RS286-620 производства RS-Components. По утверждению представителей фирмы чувствительный элемент представляет собой тонкопл

Измерительная часть прибора
Измерительная часть прибора. Измерительная часть состоит из схемы управления нагревателем сенсора и АЦП для измерения сигнала с сенсора. Поскольку входной ток АЦП достаточно велик и непосредственно

Процессорная часть прибора
Процессорная часть прибора. Основу процессорной части прибора составляет микроконтроллер AT89C51 D1 . Шина данных микропроцессора 8и битная, коммутируемая т.е. адрес и данные передаются по одной ши

Блок питания
Блок питания. В качестве блока питания прибора используется внешний источник питания напряжением 9В. Ток, обеспечиваемый источником составляет 0,7 А. Напряжение питания, поступающее в прибор фильтр

Настройка и калибровка анализатора
Настройка и калибровка анализатора. Процесс настройки прибора сводится к отладке процессорной части и программы работы, а так же к проверке работы измерительного блока. Подготовка измерительной час

Использованная литература
Использованная литература. А.Б. Певцов, Н.А. Феоктистов. В.Г. Голубев, Л.Е. Морозова, Проводимость тонких нанокристаллических пленок кремния. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33,

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги