Удельная электропроводность

В общем случае удельная электропроводность собственного полупроводника определяется для двух типов носителей заряда: электронов и дырок:

σ_{i =} σ_n+σ_p = enm_n+epm_p (4.20)

 

где σ_і - удельная электропроводность Ом^.см^-1:

e - заряд электрона.

Учитывая (4.1) получаем:

 

σ_{i =} en_i(m_n + m_p ) (4.21)

 

Подстановка в (4.21) выражений (4.17) и (4.18) дает:

 

σ_{i =} е(А_n + A_p)^.T^-3/2(N_CN_В)^1/2 e^-DE/2KT (4.22)

Известно, что N_C и N_В зависят от температуры в степени 3/2, тогда:

 

σ_i= σ₀ e^-DE/2KT (4.23)

 

где σ₀ - удельная электропроводность собственного полупроводника при бесконечно высокой температуре.

Более удобно эту зависимость представлять в координатах ln σ_i = ¦(1/T), где она будет прямой линией с наклоном DE/2K (рис. 4.11). Таким образом, электропроводность собственных полупроводников возрастает с ростом температуры за счет увеличения свободных носителей заряда, как электронов, так и дырок.