В отличие от собственных полупроводников в примесных полупроводниках имеет место еще один механизм рассеяния электронов - на ионизированных атомах примеси. Этот механизм доминирует при низких температурах (обычно, на участке “вымерзания примеси” и частично в области “истощения примеси”). В этом случае возрастание температуры приводит к росту тепловой скорости электронов, вследствие чего они в меньшей степени взаимодействуют с ионизированными атомами примеси. Поэтому с ростом температуры подвижность носителей заряда возрастает (рис. 4.13):
mh = А.Т3/2 ( 4.27)
При больших температурах, как и в случае собственных полупроводников, доминирует механизм рассеяния электронов на тепловых колебаниях узлов кристаллической решетки, поэтому в этом случае подвижность носителей заряда с ростом температуры снижается согласно (4.17).