Энергетические уровни примесных атомов в кристалле

Присутствие в определенном месте кристалла атома примеси или дефекта структуры приводит к тому, что на периодический потенциал решетки накладывается достаточно сильное возмущение , локализованное в некоторой малой области объемом с центром в точке , где расположен примесный атом. Наложение возмущения на потенциал приводит к отщеплению уровней от разрешенной зоны. (рис.5.1). При >0 уровень, соответствующий потолку разрешенной зоны, поднимается вверх. Все остальные уровней остаются без изменения. Если <0, то уровень минимальной энергии опускается вниз. Здесь - среднее значение энергии возмущения в объеме . Таким образом, в запрещенной зоне появляются разрешенные уровни , обусловленные примесями или дефектами.