Реферат Курсовая Конспект
Электронные плотности в поле сил химической связи и между сближенными на то же расстояние несвязанными атомами, заметно отличаются - раздел Энергетика, 1. Основы Физико-Химического Материаловедения 1.1. Химическая Связь ...
|
1. ОСНОВЫ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ
1.1. Химическая связь и строение твёрдых тел
При сближении атомов может произойти перекрытие их электронных оболочек. Возникающие при этом электростатические взаимодействия приводят к возникновению химических связей между атомами, и образованию многоатомных соединений (молекул, ионов, радикалов). Химическая связь возможна если:
1. Полная энергия многоатомной системы меньше, чем сумма энергий несвязанных атомов, из которых она образована.
2. Электронные плотности в поле сил химической связи и между сближенными на то же расстояние несвязанными атомами, заметно отличаются.
При образовании связи валентные электроны распределяются так, что силы притяжения и отталкивания между атомами уравновешиваются. Это равновесное расстояние между атомами соответствует длине химической связи.
Согласно классической теории валентности различают: ионную, ковалентную, металлическую и молекулярную (Ван-дер-Ваальсову) связи. Это объясняет разнообразие свойств веществ. Простой количественной характеристики химической связи нет. Так, Есв (энергия разделения твёрдого тела на атомы или молекулы) позволяет выделить только неимение прочную молекулярную связь (Есв »10 кДж/моль). Остальные типы связи по Есв практически не различимы (для всех Есв= 400¸1000 кДж/моль). Например, ионный NaCl имеет Есв= 650; ковалентный алмаз – 700; металлический Fe – 400 кДж/моль. Т.е. этот признак нельзя класть в основу классификации веществ.
Классический и квантово-механический подходы к объяснению типа химической связи объединяются, если положить в основу такой классификации пространственное распределение электронов т.е. то, как атомы делят между собой валентные электроны. Пространственное распределение электронов в кристаллах с различным типом химической связи на рис.1.1 (тёмные участки - области локализации валентных электронов).
а) модель ионного кристалла. Все валентные электроны находятся в 8-ми электронной оболочке аниона, что исключает их перемещение. Это диэлектрики. Образование такой связи возможно между атомами с различной электроотрицательностью. По мере уменьшения электроотрицательности происходит переход к ионно-ковалентным кристаллам (CdS) (возле Cd2+ имеется небольшая плотность ионов). KCl®AllBlV®Alll BV ®
б) чисто ковалентная связь – равномерное распределение электронов возле соседних атомов. Устойчивая 8-ми электронная оболочка образуется за счёт спарившихся электронов соседних атомов. Электронная плотность в направлении связи достаточно велика, т.е. наблюдается частичная коллективизация электронов, что ухудшает электрические свойства. Поэтому ковалентные кристаллы даже с долей ионной связи являются полупроводниками. Для них характерна прочность, твердость и низкая пластичность. Переход от ковалентной к металлической связи Si®Ge®Pb;
Рис.1.1. Распределение валентных электронов в химических связях
в) прочность металлической связи (полная коллективизация электронов) обусловлена притяжением положительных атомных остовов к свободным электронам. Ковалентный кристалл не образуется из-за малого количества валентных электронов. Большое число свободных электронов, ненаправленность валентных связей объясняют специфические свойства металлов – блеск, непрозрачность, прочность, пластичность, высокие электро- и теплопроводность. Обычно металлы кристаллизуются в структурах с плотной упаковкой атомов.
Все материалы могут находиться в трёх агрегатных состояниях: газовом, жидком, и твёрдом (4-е плазма). Критерием агрегатного состояния является соотношение средней потенциальной энергии взаимодействия атомов (молекул) в веществе к их кинетической энергии e (р,Т) = Евз/Екин.
Газ – агрегатное состояние вещества, в котором частицы слабо связаны и хаотически движутся, заполняя весь объём. Для них e (р,Т)<<1.
Жидкости сочетают свойства газов и твёрдых тел e (р,Т) »1. Тепловое движение молекул жидкости – сочетание малых колебаний около положения равновесия и перескоков из одного положения равновесия в другое, чем обусловлена текучесть. Жидкости не обладают упругостью формы и практически несжимаемы.
Твёрдое тело характеризуется стабильностью формы, т.к. атомы совершают лишь малые тепловые колебания возле фиксируемых положений равновесия e (р,Т) >>1. Это система сильно взаимодействующих частиц, пространственное упорядочение которых во многом определяет физические свойства вещества.
Кристаллы – твёрдые тела с 3-хмерной периодической атомной структурой (кристаллической решёткой), имеющие при равновесных условиях образования форму правильных симметричных многогранников. Если для жидкостей и некристаллических твёрдых тел характерен ближний порядок в расположении соседних частиц, то кристаллы имеют дальний порядок, т.е. строгую повторяемость во всех направлениях одного и того же структурного элемента.
Строение кристаллов характеризуется элементарной ячейкой – минимальным объёмом кристаллической решётки, путём трансляции (параллельного переноса) которой можно построить всю решётку. Рёбра элементарных ячеек обозначаются a, b и c и называют периодами кристаллической решётки или векторами трансляций. Углы между ними обозначаются a, b и g (рис.1.2). Каждая атомная плоскость кристаллической решётки, пересекаясь с осями координат, построенных на векторах , отсекает на них отрезки соответствующие целым числам периодов. Обратные им числа h k l называют кристаллографическими индексами или индексами Миллера. Грани кристалла имеют индексы (100), (010), (001).
Каждая сингония включает несколько пространственных групп симметрии (их всего 230, систематизированы Е.С.Фёдоровым). Структура всех известных кристаллов соответствует какой-либо из этих групп.
Большинство металлов кристаллизуется в высокосимметричных решётках с плотной упаковкой атомов: кубических объемно центрированной (ОЦК) и гранецентрированной (ГЦК) и гексагональной плотной упаковке (ГПУ) (см. рис.1.3). ОЦК решётку имеют: Pb, K, Na, W, V, Cr, Feα и др.; ГЦК: Ni, Cu, Ag, Au, Pt, Fe и др.; ГПУ – Mg, Cd, Be, Zn и др. Периоды решётки a, b, c для большинства металлов 0,1 – 0,7 нм. Наибольшей плотностью упаковки обладает ГЦК и ГПУ (с/а = 1,633) решётки (~74%).
Даже наиболее симметричные ГЦК и ОЦК решётки обладают анизотропией, неоднородностью физических свойств в разных кристаллографических направлениях. Это связано с тем, что плотность атомов по различным плоскостям неодинакова, например в плоскости (100) ОЦК-решетки ¼*4 = 1 атом; (110) – 2, в ГЦК наибольшая плотность в плоскости (111) (рис.1.4). Кубические кристаллы изотропные по отношению к прохождению света, электро- и теплопроводности, но анизотропные в отношении к упругим, электрооптическим, пьезоэлектрическим свойствам. Наибольшая степень анизотропии характерна для кристаллов низких сингоний.
Рис.1.4. Основные кристаллографические плоскости кубической решетки
Некоторые кристаллические фазы являются метастабильными (относительно устойчивыми). Полиморфизм – свойство веществ находиться в нескольких кристаллических модификациях с различной структурой. Feα (ОЦК) и Feγ (ГЦК); Соα (ГЦК) и Соβ (ГПУ) и др. Изоморфизм – свойство различных, но родственных по химическому составу веществ кристаллизуется в одинаковых структурах при одинаковом типе химической связи.
Большинство твёрдых металлов являются поликристаллическими, т.е. состоят из множества ориентирных хаотично мелких кристаллов (кристаллитов). Крупные одиночные кристаллы называются монокристаллами. Поликристаллы являются псевдоизотропными. Если есть преимущественная ориентация (текстура), возникает анизотропия.
Некристаллические твёрдые материалы характеризуются отсутствием дальнего порядка в расположении атомов, ионов, молекул. Среди них выделяют стеклообразные вещества, в которых при нагревании наблюдается обратимый переход из твёрдого в высокоэластичное состояние. Стеклообразные вещества метастабильны, при внесении в их расплав центров кристаллизации можно сформировать кристаллическую фазу.
Аморфные вещества образуются при очень быстром охлаждении расплава или в плёнках, осажденных на холодную подложку. Состояние квазистабильно и при нагреве переходит в кристаллическое. Многие аморфные металлические сплавы (например, железа) обладают комплексом ценных для практического использования свойств и находят все большее применение в технике.
1.2. Дефекты кристаллической решётки. Их влияние на свойства материалов
Дефектами называют нарушения совершенной решётки идеального кристалла. Классификация структурных дефектов проводится по их пространственной протяжённости. Различают: точечные (нульмерные), линейные (одномерные), поверхностные (2-х мерные) и объёмные (3-х мерные) дефекты.
Рис.1.5. Структура точечных дефектов
Их концентрация определяется выражениями:
где N и N’ – концентрации атомов и междуузлий, соответственно; Еф, Еш – энергии образования дефектов. Видимо, что при любой температуре>0K имеется определённая равновесная концентрация этих дефектов. Поэтому эти неупорядоченности структуры называются собственными или термическими. С ростом температуры nф и nш растёт и при Т ≈ Тпл могут составлять ~1% от числа атомов. Точечные дефекты влияют на электрические, магнитные свойства, массоперенос (диффузию).
Рис.1.6. Краевая (а) и винтовая (б) дислокации
Точечные и линейные дефекты взаимодействуют между собой. Скопление вакансий может приводить к появлению дислокации, а при аннигиляции дислокаций разного знака могут возникнуть вакансии или микрокаверны. Дислокации могут двигаться вдоль плоскостей скольжения и перпендикулярно к ним, что повышает способность материала пластически деформироваться.
Дислокации являются геттерами (накопителями) других дефектов и примесных атомов. Они влияют на прочность и пластичность, электрические, магнитные и оптические свойства, определяют характер роста кристаллов.
К поверхностным дефектам относятся границы зёрен, дефекты упаковки и двойники. Границами зёрен разделяются участки кристалла с разной ориентацией. Различают малоугловые (разориентация от минут до 10 градусов) границы, состоящие из дислокаций и многоугловые (более 10 градусов), когда на границе образуется жидкообразный слой. Дефекты упаковки (нарушение порядка следования слоёв при построении структуры) наблюдаются преимущественно в металлических слоистых решётках с плотной упаковкой атомов.
Двойники, возникающие при росте (двойники роста) или при механическом воздействии (механическое двойникование), представляет собой зеркальное отражение участка кристалла в двойниковой плоскости (рис.1.7).
Рис.1.7. Структура двойника
К структурно нечувствительным относятся: плотность и модуль упругости (определяется силами межатомных взаимодействий), тепловые свойства (Тпл, al, l и др.), магнитные свойства диа- и парамагнетиков, ядерные и некоторые оптические свойства.
Структурно-чувствительными являются: сопротивление разрушению, пластичность, r полупроводников и металлов, магнитные свойства ферро- и ферримагнетиков, коэффициенты поглощения и пропускания и др..
Что касается прочности свойств реальных металлов и сплавов, то они значительно меньше теоретических значений, рассчитанных по силам межатомных взаимодействий. Например, для монокристалла Fe теоретическое сопротивление сдвигу 2300 МПа, а экспериментально измеренное – 40 МПа. Для Al фактическое сопротивление сдвигу в 500 раз меньше расчётного. Лишь в бездислокационных нитевидных монокристаллах (усах) достигнуты физические (ρ, μ) и механические (δВ, ε) свойства, приближающиеся к нижнему пределу теоретических значений.
Относительно невысокое значение скалывающих напряжений связано с тем, что процесс пластической деформации в реальных кристаллах развивается не одновременно по всему объёму, а последовательно посредством перемещения дислокаций. Для этого требуются значительно меньше напряжения, поскольку через критическое положение в этом случае перемещается только один атом. Как видно из рис.1.8 движение дислокаций поперёк кристалла соответствует относительному смещению двух его частей на одно межатомное расстояние. Винтовые дислокации так же способны двигаться под действием внешних сил.
Рис.1.8. Участие дислокации в пластической деформации кристалла
Значительное снижение прочности вызывается наличием внутренних и поверхностных трещин, раковин, границ и двойников. При нагрузке в области этих дефектов возникают пики напряжений, что приводит к местному преодолению связей, т.е. зарождению разрушения или деформации.
Для повышения прочности материала, кроме выращивания бездефектных монокристаллов, применяется легирование, термо- и механотермическая обработки. Это даёт возможность ограничить движение дислокаций, увеличивая число дефектов, т.е. заставляя более эффективно работать атомные связи. Зависимость σВ (предела прочности) от числа дефектов структуры изображена на рис.1.9, где І – теоретическая σВ и прочность нитевидных бездефектных монокристаллов (усов); ІІ – чистые неупрочненные металлы; ІІІ – упрочненные легированием и термообработкой металлы.
Рис.1.9. Влияние дефектов на прочностные свойства материалов
Основные свойства материалов
Классификация свойств
Электронная промышленность использует самую широкую номенклатуру материалов от конструкторских (металлических и неметаллических) до материалов с особыми физическими свойствами (сверхчистых, особо прочных, сверхпроводящих, функциональных и др.). От правильности выбора материала для конкретного применения во многом зависят характеристики изделия. Чтобы облегчить решение такой многопараметрической задачи, как выбор материала, вводиться классификация свойств, учитывающая конструкторско-технологическую специфику (рис.1.13).
В соответствии с этой классификацией все свойства и характеристики разделяют на физико-химические и потребительские. Физико-химические свойства в свою очередь делят на функциональные (служебные) и технологические (способность к обработке).
Функциональные свойства определяют пригодность материала для создания изделий высокого качества, работающих на определенном принципе действия. В зависимости от принципа действия изделия и его назначения набор функциональных свойств может быть различным, но основными являются электрические, механические, теплофизические, оптические, магнитные, химические свойства.
Свойства материалов
Физико-химическиеПотребительские
Функциональные Технологические экономические
экологические
электрические обрабатываемость: гигиенические
механические резанием, давлением эстетические
теплофизические литьем и др.
химические свариваемость
оптические паяемость
магнитные адгезионная способность
Рис.1.13. Классификация свойств материалов
Свойства, характеризующие поведение материала при его обработке, называются технологическими. В зависимости от методов обработки (механическая, термическая, электрофизикохимическая и др.) большое значение могут приобретать функциональные свойства (твёрдость, пластичность, теплостойкость, способность образовывать покрытия, теплопроводность и др.). Если комплекс этих свойств благоприятен для обработки материала (не требуется слишком высоких температур и давлений, вакуума, дорогих инструментальных и вспомогательных материалов), а технико-экономические показатели его обработки достаточно высоки – материал технологичен.
Деление свойств и характеристик на функциональные и технологические во многом условно. Так, Тпл (размягчения) может определить верхнюю границу рабочих температур изделия, т.е. быть функциональной характеристикой, так и быть показателем обрабатываемости материала, особенно термическим методами.
Потребительские свойства и характеристики материалов, как правило, вытекают из физико-химических и технологических и являются их следствием. Малотехнологичный материал непременно будет и дорогим экологически вредным.
Длительная прочность и триботехнические характеристики
Кристаллизация материалов
ВВЕДЕНИЕ В ТЕОРИЮ СПЛАВОВ
Диаграмма состояния сплавов с неограниченной растворимостью.
– Конец работы –
Используемые теги: Электронные, плотности, поле, сил, химической, связи, между, сближенными, расстояние, несвязанными, атомами, заметно, отличаются0.153
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Электронные плотности в поле сил химической связи и между сближенными на то же расстояние несвязанными атомами, заметно отличаются
Если этот материал оказался полезным для Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Твитнуть |
Новости и инфо для студентов