Представленные в данной главе сведения имеют тематическую направленность. Тематическая систематизация заняла бы слишком много места, а это непрактично.
В разд. 3.3 рассмотрены радиоэлементы с учетом постоянных усовершенствований, в частности это относится к использованию полупроводников. Чаще всего усовершенствования касаются не области электроники, а создания технически готового элемента. Чтобы быть в курсе последних технических достижений, а также получать информацию о поставщиках и действующих ценах, читайте специальные журналы.
В данной книге кратко рассматриваются некоторые виды маломощных транзисторов, которые подходят для использования в 50-омной технике в соответствии с гл. 1. Здесь есть возможность выбора и замены транзисторов. Совершенно противоположное следует сказать о мощных транзисторах, схемное окружение которых должно выполняться в зависимости от конкретного типа, что в большинстве случаев исключает возможность простой замены сравнимых по электрическим параметрам элементов, поэтому следует руководствоваться конкретными конструктивными параметрами транзисторов. Вышесказанное относится к многочисленным полевым транзисторам и интегральным микросхемам. Для полного представления можно использовать примеры промышленных конструкций, приведенные в предыдущих главах.
Наконец, мы вновь напоминаем радиолюбителям: Высокое напряжение опасно для жизни Выполняйте все измерения с возможной осторожностью.