Прямое включение ЭДП - раздел Электротехника, Электрические заряды. Строение атома. Энергетические уровни и энергетические зоны. Положительные и отрицательные ионы Прямым Называется Такое Включение Эдп, При Котором К Нему
Подключает...
Прямым называется такое включение ЭДП, при котором к нему
подключается источник внешнего напряжения Uпр плюсом к p-области и минусом к n-области (рис. 2.7,а). Напряжённость электрического поля Eпр, образованного в полупроводнике источником внешнего напряжения имеет
противоположное направление с напряжённостью диффузионного поля Eдиф. Это приводит к уменьшению потенциального барьера (контактной разности потенциалов Uk), до значения Uk-Uпр (рис. 2.7,б). Ток диффузии основных носителей увеличивается, а дрейфовый ток практически не изменяется, т.к. он обусловлен сравнительно малой концентрацией неосновных носителей. Соотношение (2.21) становиться несправедливым, и через проводник протекает результирующий ток, определяемый током диффузии и направленный из p-области в n-область. Уменьшение потенциального барьера вызывает смещение вверх энергетических уровней области n-типа и снижение энергетических уровней p-области (рис. 2.7,в). Вследствие этого часть энергетических уровней зоны проводимости n-области, занятых электронами, располагаются напротив свободных энергетических уровней зоны проводимости p-области, а некоторой части дырок валентной зоны p-области соответствуют такие же энергетические уровни валентной зоны n-области, занятые электронами.
Из-за разности концентрации основных носителей в p- и n-областях происходит их направленное диффузионное перемещение. Уменьшение потенциального барьера вызывает уменьшение ширины области объемного заряда, определяемой уравнением (2.26) при подстановке в него место Uk значения Uk-Uпр:
При Uk = Uпр потенциальный барьер и область объемного заряда исчезают. При прямом включении ЭДП его сопротивление уменьшается до единиц – десятков Ом.
Обратное включение ЭДП:Если источник внешнего напряжения подключить плюсом к n-области, а минусом к p-области (рис. 2.8), то напряженность в области объемного заряда увеличится до значения Eдиф+Eобр, что приведет к увеличению потенциального барьера для диффузии основных носителей заряда до значения Uk+Uобр. В результате диффузионная составляющая электрического тока через ЭДП уменьшится. Для неосновных носителей заряда электрическое поле в ЭДП остается ускоряющим, но из-за малой концентрации неосновных носителей создаваемый ими дрейфовый ток практически не изменяется. Тем самым нарушается условие равновесия, определяемое уравнением (2.21) и результирующий ток, протекающий через ЭДП, будет в основном определяться незначительным дрейфовым током неосновных носителей заряда: Iобр≈Iдиф+Iдр≈Iдр. Такое включение ЭДП называется обратным, а протекающий через него ток – обратным током. За счет внешнего напряжения Uобр произойдет смещение энергетических уровней p- и n- областей на q(Uk+Uобр) и увеличение ширины области объемного заряда, которая может быть найдена из уравнения (2.26) подстановкой в него вместо Uk величины Uk+Uобр:
Малый обратный ток свидетельствует о большом сопротивлении ЭДП при обратном включении, которое может составлять сотни килоом и единицы мегаом.
При внесении в германий или кремний пятивалентных элементов фосфора Р мышьяка As сурьмы Sb и др четыре валентных электрона примесных атомов... Появление свободных электронов не сопровождается разрушением ковалентных... Подвижные носители заряда преобладающие в ПП наз основными Т о в ПП n типа основными подвижными носителями заряда...
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ:
Прямое включение ЭДП
Что будем делать с полученным материалом:
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Закон Ома для участка и полной электрической цепи.
Как было отмечено в п. 1.5.1. сила тока в цепи при неизменном значении э.д.с. источника питания зависит от сопротивления этой цепи. Эта зависимость была установлена немецким ученым Георгом Омом в 1
Законы Кирхгофа.
Первый закон Кирхгофа гласит, что сумма всех токов, протекающих через узел, равна нулю. Согласно этому закону применительно к узлу А (рис 1 а) можно записать:
I1+I2-I
Работа и мощность электрического тока.
Работа электрического тока определяется формулой: A=U*I*t (1.11)
Работу, совершаемую в единицу времени называют мощностью:
P=A/t=U*I (1.12)
Если напряжение U измеряется в
Влияние температуры на статические характеристики БТ.
С увеличением температуры увеличивается количество генерируемых в p- и n- областях пар электрон-дырка. Это приводит к увеличению в этих областях не основных носителей заряда и пропорциональным сниж
Диоды, резисторы и конденсаторы полупроводниковых ИМС.
Диоды биполярных проводниковых ИМС, как правило, представляют собой транзисторы в диодном включении (рис.6.3).
В качестве резисторов в полупроводниковых ИМС применяются базовые слои транзи
Фоторезисторы
Фоторезистором называют полупроводниковый фотоэлектрический прибор с внутренним фотоэффектом, в котором используется явление фотопроводимости, т е изменение электрической проводимости полупроводник
Фотоприемники
Фотоприемники - это оптоэлектронные приборы, предназначенные для преобразования энергии- оптического излучения в электрическую энергию Функции фотоприемников могут выполнять фоторезисторы, фотодиод
Фототранзисторы
Фототранзистором называют полупроводниковый управляемый оптическим излучением прибор с двумя взаимодействующими p-n-переходами (рис. 7.6)
Фототранзисторы, как и обычные транзисторы, могут
Светодиод
Одним из наиболее распространенных источников оптического излучения является светодиод- полупроводниковый прибор с одним или несколькими электрическими переходами, преобразующий электрическую энерг
Оптопары
Оптопара (оптрон) -оптоэлектрический п/п прибор, содержащий излучающий и принимающи элементы, оптически и конструктивно связанные друг с другом. В качестве излучателя обычно используются СИД, а в к
Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Новости и инфо для студентов