Прямое включение ЭДП

Прямым называется такое включение ЭДП, при котором к нему

подключается источник внешнего напряжения Uпр плюсом к p-области и минусом к n-области (рис. 2.7,а). Напряжённость электрического поля Eпр, образованного в полупроводнике источником внешнего напряжения имеет

противоположное направление с напряжённостью диффузионного поля Eдиф. Это приводит к уменьшению потенциального барьера (контактной разности потенциалов Uk), до значения Uk-Uпр (рис. 2.7,б). Ток диффузии основных носителей увеличивается, а дрейфовый ток практически не изменяется, т.к. он обусловлен сравнительно малой концентрацией неосновных носителей. Соотношение (2.21) становиться несправедливым, и через проводник протекает результирующий ток, определяемый током диффузии и направленный из p-области в n-область. Уменьшение потенциального барьера вызывает смещение вверх энергетических уровней области n-типа и снижение энергетических уровней p-области (рис. 2.7,в). Вследствие этого часть энергетических уровней зоны проводимости n-области, занятых электронами, располагаются напротив свободных энергетических уровней зоны проводимости p-области, а некоторой части дырок валентной зоны p-области соответствуют такие же энергетические уровни валентной зоны n-области, занятые электронами.

Из-за разности концентрации основных носителей в p- и n-областях происходит их направленное диффузионное перемещение. Уменьшение потенциального барьера вызывает уменьшение ширины области объемного заряда, определяемой уравнением (2.26) при подстановке в него место Uk значения Uk-Uпр:

При Uk = Uпр потенциальный барьер и область объемного заряда исчезают. При прямом включении ЭДП его сопротивление уменьшается до единиц – десятков Ом.

Обратное включение ЭДП:Если источник внешнего напряжения подключить плюсом к n-области, а минусом к p-области (рис. 2.8), то напряженность в области объемного заряда увеличится до значения Eдиф+Eобр, что приведет к увеличению потенциального барьера для диффузии основных носителей заряда до значения Uk+Uобр. В результате диффузионная составляющая электрического тока через ЭДП уменьшится. Для неосновных носителей заряда электрическое поле в ЭДП остается ускоряющим, но из-за малой концентрации неосновных носителей создаваемый ими дрейфовый ток практически не изменяется. Тем самым нарушается условие равновесия, определяемое уравнением (2.21) и результирующий ток, протекающий через ЭДП, будет в основном определяться незначительным дрейфовым током неосновных носителей заряда: Iобр≈Iдиф+Iдр≈Iдр. Такое включение ЭДП называется обратным, а протекающий через него ток – обратным током. За счет внешнего напряжения Uобр произойдет смещение энергетических уровней p- и n- областей на q(Uk+Uобр) и увеличение ширины области объемного заряда, которая может быть найдена из уравнения (2.26) подстановкой в него вместо Uk величины Uk+Uобр:

Малый обратный ток свидетельствует о большом сопротивлении ЭДП при обратном включении, которое может составлять сотни килоом и единицы мегаом.