С увеличением температуры увеличивается количество генерируемых в p- и n- областях пар электрон-дырка. Это приводит к увеличению в этих областях не основных носителей заряда и пропорциональным снижению концентрации основных носителей. При очень высокой температуре электропроводность областей транзистора приближается к собственной и его нормальная работа нарушается. Расчеты и экспериментальные исследования показывают, что максимальная рабочая температура германиевых транзисторов лежит в пределах +70…+100^оС, а кремниевых от +125…200^оС.