рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Определение H-параметров по характеристикам.

Определение H-параметров по характеристикам. - раздел Электротехника, Электрические заряды. Строение атома. Энергетические уровни и энергетические зоны. Положительные и отрицательные ионы Параметры H11Э И H12Э Определяются По Входным Характери...

Параметры h11Э и h12Э определяются по входным характеристикам (рис. 4.11, а):

h11Э=UБЭ/IБ =(UБЭ''-UБЭ')/( IБ''-IБ')

h12Э= UБЭ/UКЭ =(UБЭ(А)-UБЭ(D))/( 5-0)

Параметры h21Э и h21Э определяются по входным характеристикам (рис. 4.11, б):

h21Э= IК/IБ =(IК(B)-IК(C))/(IБ'''-IБ')

h22Э= IК/UКЭ =(IБЭ(E)-IБЭ(B))/(UКЭ(E)-UКЭ(B))

 

Рис. 1

Рис. 2


37. Зависимость параметров БТ от частоты. Предельная и граничная частоты коэффициентов передачи тока.Помимо схемы включения и режима работы малосигнальные параметры зависят также от t и f сигнала Частотная зависимость параметров обусловлена наличием в транзисторе паразитных емкостей, действующих между электродами транзистора.

XC=1/C=1/2fC

В справочниках указывают частотные параметры транзистора. Основным из них является частота единицы усиления (fh21Э) на которой |h21Э| уменьшается до единицы. 38. Работа БТ, включенного с ОЭ, в режиме усиления гармонического сигнала. Схема, графики напряжений.Для усиления используется схема приведенная на рис. 4.25,a В режиме усиления транзистор характеризуется токами и напряжениями покоя IБ0, IК0, UКЭ0, UБ0 Во время положительного полупериода входного сигнала входной ток создает дополнительное напряжение, в результате чего происходит увеличение UБЭ. Это приводит к увеличению токов базы и коллектора:

IКh21ЭIБ

Увеличение IК приводит к уменьшению UКЭ:

UКЭ=Eп- IКRК

На выходе образуется отрицательная полуволна напряжения. Обратные изменения происходят во время второго полупериода.По графику видно, что UВЫХ сдвинуто по фазе на 180° относительно UВХ поэтому такой усилитель называется инвертирующим. Не инвертирующим усилителем будет усилитель с ОБ. Недостатком является двух источников питания, поэтому чаще используется схема с одним источником питания (рис. 4.25,a). В этой схеме прямое смещение осуществляется с помощью делителей напряжения R1 и R2

Рис. 1

Рис. 3

Рис. 2

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Электрические заряды. Строение атома. Энергетические уровни и энергетические зоны. Положительные и отрицательные ионы

При внесении в германий или кремний пятивалентных элементов фосфора Р мышьяка As сурьмы Sb и др четыре валентных электрона примесных атомов... Появление свободных электронов не сопровождается разрушением ковалентных... Подвижные носители заряда преобладающие в ПП наз основными Т о в ПП n типа основными подвижными носителями заряда...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Определение H-параметров по характеристикам.

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Электрические заряды. Строение атома. Энергетические уровни и энергетические зоны. Положительные и отрицательные ионы.
Первые сведения о некоторых электрических явлениях относятся к глубокой древности. Еще за 600 лет до н.э. греческий философ Фалес Милетский описал замеченную ткачами способность янтаря, потертого о

Электрическое поле. Взаимодействие электрических зарядов с электрическим полем. Закон Кулона.
Электрическое поле является особой формой движения материи. Оно может воздействовать на находящееся в его пределах наэлектризованное тело. Электрическое поле существует вокруг каждого наэл

Электрический потенциал и разность потенциалов.
Потенциал электрического поля характеризует значение потенциальной энергии, которой обладает единица заряда в да

Электрическая емкость. Конденсатор. Способы изменения электрической емкости конденсаторов. Параллельное и последовательное соединения конденсаторов.
Проводники различной формы и различного размера, заряженные одинаковым количеством электричества, приобретают различные потенциалы. Это является следствием того, что такие проводники обладают разли

Постоянный электрический ток. Условия существования электрического тока. Направление, сила и плотность постоянного электрического тока.
При отсутствии электрического поля в проводнике находящиеся в нем свободные электроны совершают хаотическое (беспорядочное) движение. Если же в проводнике создать электрическое поле, то движение эл

Электрическое сопротивление. Единицы измерения сопротивления. Зависимость сопротивления от температуры.
Электроны, двигаясь в проводнике под действием электрического поля, испытывают сопротивление своему движению из-за столкновения с неподвижными атомами и молекулами проводника. Это сопротивление раз

Резисторы. Виды резисторов. Параллельные и последовательные соединения резисторов.
В электрических схемах необходимые сопротивления участков цепей создается с помощью специальных радиоэлементов, называемых резисторами. Они могут быть постоянными (рис1 а), подстроечными (рис1 б) и

Закон Ома для участка и полной электрической цепи.
Как было отмечено в п. 1.5.1. сила тока в цепи при неизменном значении э.д.с. источника питания зависит от сопротивления этой цепи. Эта зависимость была установлена немецким ученым Георгом Омом в 1

Законы Кирхгофа.
Первый закон Кирхгофа гласит, что сумма всех токов, протекающих через узел, равна нулю. Согласно этому закону применительно к узлу А (рис 1 а) можно записать: I1+I2-I

Работа и мощность электрического тока.
Работа электрического тока определяется формулой: A=U*I*t (1.11) Работу, совершаемую в единицу времени называют мощностью: P=A/t=U*I (1.12) Если напряжение U измеряется в

Основные сведения о полупроводниках. Разрешенные и запрещенные зоны. Валентная зона и зона проводимости.
Полупроводники - в-ва, которые по своей электропроводности занимают промежуточное значение между проводниками и диэлектриками. Отличительной особенностью п/п является силь

Неравновесная и избыточная концентрации основных и неосновных носителей зарядов в полупроводнике.
В стдр в ПП устанавливается равновесная концентрация основных и неосн. носителей заряда(nn0,pn0-в ПП n-типа, np0,pn0-в ПП p-типа). Однако кроме теплового

Диффузионный и дрейфовый токи в полупроводнике. Причины, вызывающие их появление. Формулы для плотностей токов.
В ПП свободные электроны и дырки нах в состоянии хаотического движения. При помещении ПП в электрическое поле с напряжённостью Е движение электронов и дырок упорядочивается: электроны приобретают п

Обратное включение ЭДП. Обратный ток. Включение обратного напряжения на ширину запирающего слоя. Энергетическая диаграмма.
Если источник внешнего напряжения подключить '+' к n-обл., а '-' к р-обл.(рис. 1а), то напряжённость в области объёмного заряда увеличится до значения Едиф+Еобр, что приведёт

Вольтамперная характеристика ЭДП (ВАХ). Уравнение теоретической ВАХ и ее график.
Вольт-амперной характеристикой(ВАХ) наз. графическую зависимость тока, протекающего через ЭДП, от значения и полярности прикладываемого к нему внешнего напряжения. Аналитическое выражение этой зави

Емкость ЭДП. Зарядная и диффузионная емкости, их физическая интерпретация. Графическая зависимость зарядной емкости от обратного напряжения.
Изменение внешнего напряжения U, приложенного к ЭДП, на значение dU приводит к изменению заряда Q, создаваемого положительными и отрицательными ионами в переходе, а также переносимого через переход

Прямое включение ЭДП
Прямым называется такое включение ЭДП, при котором к нему подключается источник внешнего напряжения Uпр плюсом к p-области и минусом к n-области (рис. 2.7,а). Напряжённость электрического

Туннельные диоды. Энергетическая диаграмма при прямом и обратном включениях. ВАХ. Пояснить появление на ВАХ участка с отрицательным сопротивлением.
Туннельными наз. ППД, у которых за счёт туннельного эффекта на прямой ветви ВАХ существует область с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Туннельный эффект наблюдается при контак

Влияние температуры на статические характеристики БТ.
С увеличением температуры увеличивается количество генерируемых в p- и n- областях пар электрон-дырка. Это приводит к увеличению в этих областях не основных носителей заряда и пропорциональным сниж

Малосигнальные h-параметры БТ, включенного по схеме ОЭ. Формулы и методика определения по статическим гибридным характеристикам.
Если в эмит. цепь транзистора кроме постоянного напряжения, смещающего ЭП подать изменяющееся во времени напряжение, то результат на эмит. переходе будет определятся алгебраической суммой этих напр

Нагрузочные характеристики транзисторных усилителей. Уравнение, методика построения.
Включенные нагрузки в коллекторную цепь транзистора, работающего в усилительном каскаде, приводит к тому, что изменения коллекторного тока зависят как от изменений входного тока, так и от связанног

Параметры режима усиления. Формулы, методика определения по статическим гибридным характеристикам в схеме ОЭ,OБ
Основными параметрами, характеризующими режим усиления, являются: 1. Коэффициент усиления по напряжению: Kn=Vmвых/Umвх; (4.24) 2. Коэффициент усиления по току: K

Факторы, ограничивающие полезную выходную мощность БТ. Определение рабочей области на выходных статических гибридных характеристиках.
Полезная мощность на выходе транзисторного усилителя, как это видно из (4.25) определяется амплитудными значениями коллекторного тока ImK и коллекторного напряжения UmKK. Одна

Устройство, принцип действия, статические характеристики и параметры МДП-транзисторов с индуцированным каналом п- и р- типов.
Упрощенная структура МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типа показана на рис. 5.1. В подложке из кремния n-типа с высоким удельным сопротивлением методом диффузии созданы две сильно легиров

Устройство, принципы действия статические характеристики и параметры МДП-транзистора с управляющим р-п-переходом.
Структура такого транзистора изготовленного на основе полупроводника n-типа, показаны на рис.5.5, a. В полупроводнике n-типа созданы две области р-типа, образующие управляющий электрод - затвор. На

Устройство, принцип действия, статические характеристики и параметры МЕП-транзисторов.
Эти транзисторы являются основными активными элементами арсенид галлиевых микросхем. Одна из первых структур такого транзистора показана на рис.5.8 а. На полудиэлектрической подложке арсенида галли

Дифференциальные параметры полевых транзисторов и методика их определения по статическим характеристикам.
Свойства ПТ удобно рассматривать в Y-системе параметров, в которой в качестве функций используется входной и выходной токи, а аргументами служат входное выходное напряжения

Этапы изготовления полупроводниковых ИМС, обеспечивающие формирование в кристалле полупроводника транзисторной структуры.
Большинство полупроводниковых ИМС изготавливаются по планарно-эпитаксиальной технологии, сущность которой заключается в следующем. На кремневой подложке р-типа монокристаллический высокоомный слой

Интегральные транзисторы n-p-n и p-n-p. Способ увеличения коэффициента передачи тока h21Э транзистора типа p-n-p. Многоколлекторный транзистор.
Иногда в одном кристалле требуется создавать БТ типа n-p-n и p-n-p. В этом случае транзистор p-n-p изготовляют как горизонтальный (рис.6.4, а). Его недостатком является малое значение коэффициента

Интегральные транзисторы с инжекционным питанием. Структурная и эквивалентная схемы. Принципа работы.
Другой разновидностью биполярных интегральных транзисторов являются транзисторы с инжекционным питанием (рис.6.7, а). Области р1, n1 и р2 образуют горизонтальный p-n-p транзистор VT1, а области n1,

Диоды, резисторы и конденсаторы полупроводниковых ИМС.
Диоды биполярных проводниковых ИМС, как правило, представляют собой транзисторы в диодном включении (рис.6.3). В качестве резисторов в полупроводниковых ИМС применяются базовые слои транзи

Пленочные и гибридные ИМС, их отличительные особенности от полупроводниковых ИМС.
В пленочных ИМС пассивные элементы (конденсаторы, резисторы, небольшие индуктивности) выполняются в виде проводящих, резистивных и диэлектрических пленок, наносимых на общую диэлектрическую подложк

Фоторезисторы
Фоторезистором называют полупроводниковый фотоэлектрический прибор с внутренним фотоэффектом, в котором используется явление фотопроводимости, т е изменение электрической проводимости полупроводник

Фотоприемники
Фотоприемники - это оптоэлектронные приборы, предназначенные для преобразования энергии- оптического излучения в электрическую энергию Функции фотоприемников могут выполнять фоторезисторы, фотодиод

Фототранзисторы
Фототранзистором называют полупроводниковый управляемый оптическим излучением прибор с двумя взаимодействующими p-n-переходами (рис. 7.6) Фототранзисторы, как и обычные транзисторы, могут

Светодиод
Одним из наиболее распространенных источников оптического излучения является светодиод- полупроводниковый прибор с одним или несколькими электрическими переходами, преобразующий электрическую энерг

Оптопары
Оптопара (оптрон) -оптоэлектрический п/п прибор, содержащий излучающий и принимающи элементы, оптически и конструктивно связанные друг с другом. В качестве излучателя обычно используются СИД, а в к

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги