Определение H-параметров по характеристикам. - раздел Электротехника, Электрические заряды. Строение атома. Энергетические уровни и энергетические зоны. Положительные и отрицательные ионы Параметры H11Э И H12Э Определяются По Входным Характери...
Параметры h11Э и h12Э определяются по входным характеристикам (рис. 4.11, а):
h11Э=UБЭ/IБ =(UБЭ''-UБЭ')/( IБ''-IБ')
h12Э= UБЭ/UКЭ =(UБЭ(А)-UБЭ(D))/( 5-0)
Параметры h21Э и h21Э определяются по входным характеристикам (рис. 4.11, б):
h21Э= IК/IБ =(IК(B)-IК(C))/(IБ'''-IБ')
h22Э= IК/UКЭ =(IБЭ(E)-IБЭ(B))/(UКЭ(E)-UКЭ(B))
Рис. 1
Рис. 2
37. Зависимость параметров БТ от частоты. Предельная и граничная частоты коэффициентов передачи тока.Помимо схемы включения и режима работы малосигнальные параметры зависят также от t и f сигнала Частотная зависимость параметров обусловлена наличием в транзисторе паразитных емкостей, действующих между электродами транзистора.
XC=1/C=1/2fC
В справочниках указывают частотные параметры транзистора. Основным из них является частота единицы усиления (fh21Э) на которой |h21Э| уменьшается до единицы. 38. Работа БТ, включенного с ОЭ, в режиме усиления гармонического сигнала. Схема, графики напряжений.Для усиления используется схема приведенная на рис. 4.25,a В режиме усиления транзистор характеризуется токами и напряжениями покоя IБ0, IК0, UКЭ0, UБ0 Во время положительного полупериода входного сигнала входной ток создает дополнительное напряжение, в результате чего происходит увеличение UБЭ. Это приводит к увеличению токов базы и коллектора:
IКh21ЭIБ
Увеличение IК приводит к уменьшению UКЭ:
UКЭ=Eп- IКRК
На выходе образуется отрицательная полуволна напряжения. Обратные изменения происходят во время второго полупериода.По графику видно, что UВЫХ сдвинуто по фазе на 180° относительно UВХ поэтому такой усилитель называется инвертирующим. Не инвертирующим усилителем будет усилитель с ОБ. Недостатком является двух источников питания, поэтому чаще используется схема с одним источником питания (рис. 4.25,a). В этой схеме прямое смещение осуществляется с помощью делителей напряжения R1 и R2
При внесении в германий или кремний пятивалентных элементов фосфора Р мышьяка As сурьмы Sb и др четыре валентных электрона примесных атомов... Появление свободных электронов не сопровождается разрушением ковалентных... Подвижные носители заряда преобладающие в ПП наз основными Т о в ПП n типа основными подвижными носителями заряда...
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ:
Определение H-параметров по характеристикам.
Что будем делать с полученным материалом:
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Закон Ома для участка и полной электрической цепи.
Как было отмечено в п. 1.5.1. сила тока в цепи при неизменном значении э.д.с. источника питания зависит от сопротивления этой цепи. Эта зависимость была установлена немецким ученым Георгом Омом в 1
Законы Кирхгофа.
Первый закон Кирхгофа гласит, что сумма всех токов, протекающих через узел, равна нулю. Согласно этому закону применительно к узлу А (рис 1 а) можно записать:
I1+I2-I
Работа и мощность электрического тока.
Работа электрического тока определяется формулой: A=U*I*t (1.11)
Работу, совершаемую в единицу времени называют мощностью:
P=A/t=U*I (1.12)
Если напряжение U измеряется в
Прямое включение ЭДП
Прямым называется такое включение ЭДП, при котором к нему
подключается источник внешнего напряжения Uпр плюсом к p-области и минусом к n-области (рис. 2.7,а). Напряжённость электрического
Влияние температуры на статические характеристики БТ.
С увеличением температуры увеличивается количество генерируемых в p- и n- областях пар электрон-дырка. Это приводит к увеличению в этих областях не основных носителей заряда и пропорциональным сниж
Диоды, резисторы и конденсаторы полупроводниковых ИМС.
Диоды биполярных проводниковых ИМС, как правило, представляют собой транзисторы в диодном включении (рис.6.3).
В качестве резисторов в полупроводниковых ИМС применяются базовые слои транзи
Фоторезисторы
Фоторезистором называют полупроводниковый фотоэлектрический прибор с внутренним фотоэффектом, в котором используется явление фотопроводимости, т е изменение электрической проводимости полупроводник
Фотоприемники
Фотоприемники - это оптоэлектронные приборы, предназначенные для преобразования энергии- оптического излучения в электрическую энергию Функции фотоприемников могут выполнять фоторезисторы, фотодиод
Фототранзисторы
Фототранзистором называют полупроводниковый управляемый оптическим излучением прибор с двумя взаимодействующими p-n-переходами (рис. 7.6)
Фототранзисторы, как и обычные транзисторы, могут
Светодиод
Одним из наиболее распространенных источников оптического излучения является светодиод- полупроводниковый прибор с одним или несколькими электрическими переходами, преобразующий электрическую энерг
Оптопары
Оптопара (оптрон) -оптоэлектрический п/п прибор, содержащий излучающий и принимающи элементы, оптически и конструктивно связанные друг с другом. В качестве излучателя обычно используются СИД, а в к
Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Новости и инфо для студентов