Нагрузочные характеристики транзисторных усилителей. Уравнение, методика построения.
Нагрузочные характеристики транзисторных усилителей. Уравнение, методика построения. - раздел Электротехника, Электрические заряды. Строение атома. Энергетические уровни и энергетические зоны. Положительные и отрицательные ионы Включенные Нагрузки В Коллекторную Цепь Транзистора, Работающего В Усилительн...
Включенные нагрузки в коллекторную цепь транзистора, работающего в усилительном каскаде, приводит к тому, что изменения коллекторного тока зависят как от изменений входного тока, так и от связанного с ним изменения коллекторного напряжения. Например, в усилителе с ОЭ(рис.4.23).Выполняется условие:
UКЭ=ЕК-IК*RК (4,22) или IК=(EК-UКЭ)/RК (4,23).
В этих уравнениях IК и UКЭ связаны между собой линейными зависимостями и являются уравнениями выходной нагрузочной характеристики. На семействе статических выходных характеристик транзистора, включенного по схеме ОЭ, нагрузочная характеристика может быть построена по двум точкам (рис 4,24): А(IК=0, UКЭ=EП) и B(UКЭ=0, IК=EП/RК). Если при определении точки В по уравнению (4.23) значение точки IК выходит за пределы выходных характеристик, то ее определяют так: задается некоторым значением тока IК и в 38 – продолжение…соответствии с уравнением (4.22) определяют напряжение U'КЭ=EП-I'К*RК (точкаt B на рис. 4.24). Такой случай может представиться при малых значениях RК.
Выходная нагрузочная характеристика построенная по уравнениям (4,22) и (4,23) на семействе статических выходных характеристик, называется также линией нагрузки или выходной нагрузочной прямой.
Входная нагрузочная характеристика строится на статических входных характеристиках путем перенесения на нее точек выходной нагрузочной характеристики. Но поскольку в справочниках в большинстве случаев семейство входных статических характеристик представлено всего лишь двумя характеристиками, считаемыми при UК=0 и UК<>0, то за входную нагрузочную характеристику принимают входную статическую, взятую при UК<>0.
При внесении в германий или кремний пятивалентных элементов фосфора Р мышьяка As сурьмы Sb и др четыре валентных электрона примесных атомов... Появление свободных электронов не сопровождается разрушением ковалентных... Подвижные носители заряда преобладающие в ПП наз основными Т о в ПП n типа основными подвижными носителями заряда...
Закон Ома для участка и полной электрической цепи.
Как было отмечено в п. 1.5.1. сила тока в цепи при неизменном значении э.д.с. источника питания зависит от сопротивления этой цепи. Эта зависимость была установлена немецким ученым Георгом Омом в 1
Законы Кирхгофа.
Первый закон Кирхгофа гласит, что сумма всех токов, протекающих через узел, равна нулю. Согласно этому закону применительно к узлу А (рис 1 а) можно записать:
I1+I2-I
Работа и мощность электрического тока.
Работа электрического тока определяется формулой: A=U*I*t (1.11)
Работу, совершаемую в единицу времени называют мощностью:
P=A/t=U*I (1.12)
Если напряжение U измеряется в
Прямое включение ЭДП
Прямым называется такое включение ЭДП, при котором к нему
подключается источник внешнего напряжения Uпр плюсом к p-области и минусом к n-области (рис. 2.7,а). Напряжённость электрического
Влияние температуры на статические характеристики БТ.
С увеличением температуры увеличивается количество генерируемых в p- и n- областях пар электрон-дырка. Это приводит к увеличению в этих областях не основных носителей заряда и пропорциональным сниж
Диоды, резисторы и конденсаторы полупроводниковых ИМС.
Диоды биполярных проводниковых ИМС, как правило, представляют собой транзисторы в диодном включении (рис.6.3).
В качестве резисторов в полупроводниковых ИМС применяются базовые слои транзи
Фоторезисторы
Фоторезистором называют полупроводниковый фотоэлектрический прибор с внутренним фотоэффектом, в котором используется явление фотопроводимости, т е изменение электрической проводимости полупроводник
Фотоприемники
Фотоприемники - это оптоэлектронные приборы, предназначенные для преобразования энергии- оптического излучения в электрическую энергию Функции фотоприемников могут выполнять фоторезисторы, фотодиод
Фототранзисторы
Фототранзистором называют полупроводниковый управляемый оптическим излучением прибор с двумя взаимодействующими p-n-переходами (рис. 7.6)
Фототранзисторы, как и обычные транзисторы, могут
Светодиод
Одним из наиболее распространенных источников оптического излучения является светодиод- полупроводниковый прибор с одним или несколькими электрическими переходами, преобразующий электрическую энерг
Оптопары
Оптопара (оптрон) -оптоэлектрический п/п прибор, содержащий излучающий и принимающи элементы, оптически и конструктивно связанные друг с другом. В качестве излучателя обычно используются СИД, а в к
Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Новости и инфо для студентов