Устройство, принцип действия, статические характеристики и параметры МЕП-транзисторов.
Устройство, принцип действия, статические характеристики и параметры МЕП-транзисторов. - раздел Электротехника, Электрические заряды. Строение атома. Энергетические уровни и энергетические зоны. Положительные и отрицательные ионы Эти Транзисторы Являются Основными Активными Элементами Арсенид Галлиевых Мик...
Эти транзисторы являются основными активными элементами арсенид галлиевых микросхем. Одна из первых структур такого транзистора показана на рис.5.8 а. На полудиэлектрической подложке арсенида галлия (GaAs), обладающей свойствами методом ионного легирования формируют две сильно легированные n^+-области стока и истока и соединяющий канал n-типа, толщина которого составляет d0=0,1…0,2 мкм. Металлические пленки, к которым припаиваются выводы стока и истока, образуют с n^+-областями невыпрямляющие электрические переходы, а между металлическим затвором и n-областью возникает выпрямляющий контакт - барьер Шотки. Таким образом в канале под затвором образуется область объемного заряда, вызывающая сужение канала (рис. 5.8 б). На затвор подается управляющее напряжение UЗИ, на сток - положительное напряжение UСИ. При изменении управляющего напряжения изменяется толщина обедненного слоя, толщина проводящего канала, его электропроводность и ток стока. Напряжение UЗИ, при котором канал полностью перекрывается, называется пороговым и обозначается UЗИпор=-2,5…+0,2 В. Если UЗИпор<0, то при UЗИ=0 канал является проводящим и транзистор называют нормально открытым (рис.5.9). При UЗИпор>0 и UЗИ=0 канал перекрыт обедненным слоем и транзистор называют нормально закрытым - он аналогичен МДП-транзистору с индуцированным каналом. Для нормально открытых транзисторов напряжение UЗИ может изменяться от отрицательных значений до +0,6 В. При бо'льших значениях UЗИ в цепи затвора появляется нежелательный ток (кривая 3 на рис.5.9), т.к. переход металл-полупроводник смещается в прямом направлении. Поэтому ток стока ограничивается величиной ICmax1. Для нормально закрытых транзисторов напряжение UЗИ может изменяться лишь в пределах 0…0,6 В, и максимальный ток стока ограничивается значением ICmax2. Рассмотренные транзисторы получили название МЕП-транзисторов, т.к. имеют структуру металл-полупроводник. Они обладают самым высоким быстродействие, т.к. подвижности электронов и дырок в GaAs значительно больше их подвижности в германии и кремнии.
При внесении в германий или кремний пятивалентных элементов фосфора Р мышьяка As сурьмы Sb и др четыре валентных электрона примесных атомов... Появление свободных электронов не сопровождается разрушением ковалентных... Подвижные носители заряда преобладающие в ПП наз основными Т о в ПП n типа основными подвижными носителями заряда...
Закон Ома для участка и полной электрической цепи.
Как было отмечено в п. 1.5.1. сила тока в цепи при неизменном значении э.д.с. источника питания зависит от сопротивления этой цепи. Эта зависимость была установлена немецким ученым Георгом Омом в 1
Законы Кирхгофа.
Первый закон Кирхгофа гласит, что сумма всех токов, протекающих через узел, равна нулю. Согласно этому закону применительно к узлу А (рис 1 а) можно записать:
I1+I2-I
Работа и мощность электрического тока.
Работа электрического тока определяется формулой: A=U*I*t (1.11)
Работу, совершаемую в единицу времени называют мощностью:
P=A/t=U*I (1.12)
Если напряжение U измеряется в
Прямое включение ЭДП
Прямым называется такое включение ЭДП, при котором к нему
подключается источник внешнего напряжения Uпр плюсом к p-области и минусом к n-области (рис. 2.7,а). Напряжённость электрического
Влияние температуры на статические характеристики БТ.
С увеличением температуры увеличивается количество генерируемых в p- и n- областях пар электрон-дырка. Это приводит к увеличению в этих областях не основных носителей заряда и пропорциональным сниж
Диоды, резисторы и конденсаторы полупроводниковых ИМС.
Диоды биполярных проводниковых ИМС, как правило, представляют собой транзисторы в диодном включении (рис.6.3).
В качестве резисторов в полупроводниковых ИМС применяются базовые слои транзи
Фоторезисторы
Фоторезистором называют полупроводниковый фотоэлектрический прибор с внутренним фотоэффектом, в котором используется явление фотопроводимости, т е изменение электрической проводимости полупроводник
Фотоприемники
Фотоприемники - это оптоэлектронные приборы, предназначенные для преобразования энергии- оптического излучения в электрическую энергию Функции фотоприемников могут выполнять фоторезисторы, фотодиод
Фототранзисторы
Фототранзистором называют полупроводниковый управляемый оптическим излучением прибор с двумя взаимодействующими p-n-переходами (рис. 7.6)
Фототранзисторы, как и обычные транзисторы, могут
Светодиод
Одним из наиболее распространенных источников оптического излучения является светодиод- полупроводниковый прибор с одним или несколькими электрическими переходами, преобразующий электрическую энерг
Оптопары
Оптопара (оптрон) -оптоэлектрический п/п прибор, содержащий излучающий и принимающи элементы, оптически и конструктивно связанные друг с другом. В качестве излучателя обычно используются СИД, а в к
Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
+0,6 В. При бо'льших значениях UЗИ в цепи затвора появляется нежелательный ток (кривая 3 на рис.5.9), т.к. переход металл-полупроводник смещается в прямом направлении. Поэтому ток стока ограничивается величиной ICmax1. Для нормально закрытых транзисторов напряжение UЗИ может изменяться лишь в пределах 0…0,6 В, и максимальный ток стока ограничивается значением ICmax2. Рассмотренные транзисторы получили название МЕП-транзисторов, т.к. имеют структуру металл-полупроводник. Они обладают самым высоким быстродействие, т.к. подвижности электронов и дырок в GaAs значительно больше их подвижности в германии и кремнии.
Новости и инфо для студентов