Дифференциальные параметры полевых транзисторов и методика их определения по статическим характеристикам.

Свойства ПТ удобно рассматривать в Y-системе параметров, в которой в качестве функций используется входной и выходной токи, а аргументами служат входное выходное напряжения (5.3)

или (5.4). Поскольку I_з0, то в большинстве случаев ограничиваются лишь второй функциональной зависимостью уравнений (5.4), полный дифференциал которой имеет вид dI_C=I_C/U_ЗИdU_ЗИ+ I_C/U_СИdU_СИ (5.5). Частные производные в этом уравнении является дифференциальными параметрами ПТ (5.6) I_C/U_ЗИ= dI_C/dU_ЗИ=S при U_СИ=const - крутизна сток-затворной характеристики.

(5.7) I_C/U_СИ= dI_C/pU_СИ=1/R_i при U_ЗИ=const - выходная проводимость. Чаще используют обратную величину R_i=U_СИ/I_C=dU_СИ/dI_C при U_ЗИ=const, представляющую собой выходное сопротивление ПТ. Кроме того используется параметр (5.9) U_СИ/I_C* I_C/U_ЗИ = U_СИ/U_ЗИ=dU_СИ/dU_ЗИ==SR_i - статический коэффициент увеличения. Параметры S, R_i и называются дифференциальными и используют при аналитическом задании функции. Приближенно они могут быть определены по статическим характеристикам, если дифференциалы заменить конечными приращениями: S=I_C/U_ЗИ при U_СИ=const R_i=U_СИ/I_C при U_ЗИ=const. Полученные таким образом параметры называются малосигнальными. При этом справедливым остается выражение =SR_i=U_СИ/U_ЗИ. Методика определения параметра S по сток-затворным и стоковым характеристикам показана на рис.5.11, а , б, а методика определения параметра R_i иллюстрируется рис. 5.11, в. Значения параметров S, R_i и зависят от режима работы ПТ, т.е. от положения рабочей точки А на характеристиках.

Рис. 1

Рис. 2