Интегральные транзисторы n-p-n и p-n-p. Способ увеличения коэффициента передачи тока h21Э транзистора типа p-n-p. Многоколлекторный транзистор.

Иногда в одном кристалле требуется создавать БТ типа n-p-n и p-n-p. В этом случае транзистор p-n-p изготовляют как горизонтальный (рис.6.4, а). Его недостатком является малое значение коэффициента передачи тока h_21Э. Для увеличения h_21Э горизонтальный транзистор p-n-p используют совместно с вертикальным транзистором n-p-n, как показано на рис.6.4, б. Полученная таким образом структура называется составным транзистором. Он имеет коэффициент передачи тока h_21Э=h_21Э1h_21Э2, где h_21Э1и h_21Э2 соответственно коэффициенты передачи тока транзисторов VT1 и VT2 (n-p-n). Если кольцевой коллектор горизонтального транзистора p-n-p разделить на несколько самостоятельных участков, получится многоколлекторный транзистор (рис.6.4, в).

Рис. 1