Интегральные транзисторы с инжекционным питанием. Структурная и эквивалентная схемы. Принципа работы.

Другой разновидностью биполярных интегральных транзисторов являются транзисторы с инжекционным питанием (рис.6.7, а). Области р1, n1 и р2 образуют горизонтальный p-n-p транзистор VT1, а области n1, р2 и n2 - вертикальный n-p-n двухколлекторный транзистор (число коллекторов может быть значительно больше) VT2. Эквивалентная схема такой структуры показана на рис.6.7, б. Область р1, называется инжектором. На инжектор, служащий эмиттером горизонтального транзистора VT1, падают напряжение +ЕП, а на базу n1 этого транзистора - напряжение -ЕП. Поэтому эмиттерный ЭДП транзистора VT1 смещен в прямом направлении и через VT1 протекает эмиттерный и коллекторный ток IO. Транзистор VT0 выполняет роль ключа. Если этот транзистор закрыт, это соответствует разомкнутому состоянию ключа. В таком случае ток I0 вытекает в базу транзистора VT2 и вводит его в режим насыщения. На коллекторах VT2, образующих выходные цепи, создаются напряжения низкого уровня U0=0,05 В. Если транзистор VT0 открыт, то он находится в режиме насыщение и сопротивление участка коллектор-эмиттер этого транзистора мало, что соответствует замкнутому состоянию ключа. В этом случае ток I0 будет протекать через VT0, а транзистор VT2 будет закрыт и на его коллекторах будут создаваться напряжения уровня U1=0,6…0,75 В. Упрощенная эквивалентная схема транзистора с инжекционным питанием показана на рис.6.7, в.

Рис. 1