Диоды, резисторы и конденсаторы полупроводниковых ИМС.

Диоды биполярных проводниковых ИМС, как правило, представляют собой транзисторы в диодном включении (рис.6.3).

В качестве резисторов в полупроводниковых ИМС применяются базовые слои транзисторной структуры (рис.6.8, а), канала МДП-транзисторов при фиксированном напряжении U_ЗИ, а также p-n-переходы, смещенные в обратном направлении. Поскольку базовая область получена путем диффузии, то такие резисторы называют диффузионными.

В качестве конденсаторов полупроводниковых ИМС используют зарядные (барьерные) емкости обратно смещенных ЭДП. На рис.6.8, б показан диффузионный конденсатор, реализованный на коллекторном переходе, смещенном в обратном направлении. Кроме таких конденсаторов применяются также метало-оксидные конденсаторы (рис.6.8, в). В них одной обкладкой служит сильно легированная область n^+-типа, создаваемая в процессе образования эмиттерной области, а второй - металлическая пленка (Al), нанесенная на диэлектрическую пленку SiO₂ на поверхности кристалла.

Рис. 1

Рис. 2