рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Оптопары

Оптопары - раздел Электротехника, Электрические заряды. Строение атома. Энергетические уровни и энергетические зоны. Положительные и отрицательные ионы Оптопара (Оптрон) -Оптоэлектрический П/п Прибор, Содержащий Излучающий И Прин...

Оптопара (оптрон) -оптоэлектрический п/п прибор, содержащий излучающий и принимающи элементы, оптически и конструктивно связанные друг с другом. В качестве излучателя обычно используются СИД, а в качестве приемника - ФС, ФД, ФТ. Структурная схема оптопары представлена на рис. 7.8.

В качестве оптоканала (ОК) может использоваться воздух, стекло, пластмасса, волоконнооптические материалы.

Средой ОК (ее прозрачностью можно управлять с помощью внешнего УУ (устройства управления).

Важным свойством оптопар является их способность усиливать эл. сигналы по напряжению, току и мощности, а так же полная эл. развязка между узлами аппаратуры, находящимися под различными потенциалами или имеющих различные значения логических уровне, в качестве эл-тов оптического управления сильноточными и высоковольтными узлами.

На рис. 7.9 представлены резисторная (а), диодная (б) и транзисторная (в) оптопары.

Рис. 1 Рис. 2

Рис. 3

 


 

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Электрические заряды. Строение атома. Энергетические уровни и энергетические зоны. Положительные и отрицательные ионы

При внесении в германий или кремний пятивалентных элементов фосфора Р мышьяка As сурьмы Sb и др четыре валентных электрона примесных атомов... Появление свободных электронов не сопровождается разрушением ковалентных... Подвижные носители заряда преобладающие в ПП наз основными Т о в ПП n типа основными подвижными носителями заряда...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Оптопары

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Электрические заряды. Строение атома. Энергетические уровни и энергетические зоны. Положительные и отрицательные ионы.
Первые сведения о некоторых электрических явлениях относятся к глубокой древности. Еще за 600 лет до н.э. греческий философ Фалес Милетский описал замеченную ткачами способность янтаря, потертого о

Электрическое поле. Взаимодействие электрических зарядов с электрическим полем. Закон Кулона.
Электрическое поле является особой формой движения материи. Оно может воздействовать на находящееся в его пределах наэлектризованное тело. Электрическое поле существует вокруг каждого наэл

Электрический потенциал и разность потенциалов.
Потенциал электрического поля характеризует значение потенциальной энергии, которой обладает единица заряда в да

Электрическая емкость. Конденсатор. Способы изменения электрической емкости конденсаторов. Параллельное и последовательное соединения конденсаторов.
Проводники различной формы и различного размера, заряженные одинаковым количеством электричества, приобретают различные потенциалы. Это является следствием того, что такие проводники обладают разли

Постоянный электрический ток. Условия существования электрического тока. Направление, сила и плотность постоянного электрического тока.
При отсутствии электрического поля в проводнике находящиеся в нем свободные электроны совершают хаотическое (беспорядочное) движение. Если же в проводнике создать электрическое поле, то движение эл

Электрическое сопротивление. Единицы измерения сопротивления. Зависимость сопротивления от температуры.
Электроны, двигаясь в проводнике под действием электрического поля, испытывают сопротивление своему движению из-за столкновения с неподвижными атомами и молекулами проводника. Это сопротивление раз

Резисторы. Виды резисторов. Параллельные и последовательные соединения резисторов.
В электрических схемах необходимые сопротивления участков цепей создается с помощью специальных радиоэлементов, называемых резисторами. Они могут быть постоянными (рис1 а), подстроечными (рис1 б) и

Закон Ома для участка и полной электрической цепи.
Как было отмечено в п. 1.5.1. сила тока в цепи при неизменном значении э.д.с. источника питания зависит от сопротивления этой цепи. Эта зависимость была установлена немецким ученым Георгом Омом в 1

Законы Кирхгофа.
Первый закон Кирхгофа гласит, что сумма всех токов, протекающих через узел, равна нулю. Согласно этому закону применительно к узлу А (рис 1 а) можно записать: I1+I2-I

Работа и мощность электрического тока.
Работа электрического тока определяется формулой: A=U*I*t (1.11) Работу, совершаемую в единицу времени называют мощностью: P=A/t=U*I (1.12) Если напряжение U измеряется в

Основные сведения о полупроводниках. Разрешенные и запрещенные зоны. Валентная зона и зона проводимости.
Полупроводники - в-ва, которые по своей электропроводности занимают промежуточное значение между проводниками и диэлектриками. Отличительной особенностью п/п является силь

Неравновесная и избыточная концентрации основных и неосновных носителей зарядов в полупроводнике.
В стдр в ПП устанавливается равновесная концентрация основных и неосн. носителей заряда(nn0,pn0-в ПП n-типа, np0,pn0-в ПП p-типа). Однако кроме теплового

Диффузионный и дрейфовый токи в полупроводнике. Причины, вызывающие их появление. Формулы для плотностей токов.
В ПП свободные электроны и дырки нах в состоянии хаотического движения. При помещении ПП в электрическое поле с напряжённостью Е движение электронов и дырок упорядочивается: электроны приобретают п

Обратное включение ЭДП. Обратный ток. Включение обратного напряжения на ширину запирающего слоя. Энергетическая диаграмма.
Если источник внешнего напряжения подключить '+' к n-обл., а '-' к р-обл.(рис. 1а), то напряжённость в области объёмного заряда увеличится до значения Едиф+Еобр, что приведёт

Вольтамперная характеристика ЭДП (ВАХ). Уравнение теоретической ВАХ и ее график.
Вольт-амперной характеристикой(ВАХ) наз. графическую зависимость тока, протекающего через ЭДП, от значения и полярности прикладываемого к нему внешнего напряжения. Аналитическое выражение этой зави

Емкость ЭДП. Зарядная и диффузионная емкости, их физическая интерпретация. Графическая зависимость зарядной емкости от обратного напряжения.
Изменение внешнего напряжения U, приложенного к ЭДП, на значение dU приводит к изменению заряда Q, создаваемого положительными и отрицательными ионами в переходе, а также переносимого через переход

Прямое включение ЭДП
Прямым называется такое включение ЭДП, при котором к нему подключается источник внешнего напряжения Uпр плюсом к p-области и минусом к n-области (рис. 2.7,а). Напряжённость электрического

Туннельные диоды. Энергетическая диаграмма при прямом и обратном включениях. ВАХ. Пояснить появление на ВАХ участка с отрицательным сопротивлением.
Туннельными наз. ППД, у которых за счёт туннельного эффекта на прямой ветви ВАХ существует область с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Туннельный эффект наблюдается при контак

Влияние температуры на статические характеристики БТ.
С увеличением температуры увеличивается количество генерируемых в p- и n- областях пар электрон-дырка. Это приводит к увеличению в этих областях не основных носителей заряда и пропорциональным сниж

Малосигнальные h-параметры БТ, включенного по схеме ОЭ. Формулы и методика определения по статическим гибридным характеристикам.
Если в эмит. цепь транзистора кроме постоянного напряжения, смещающего ЭП подать изменяющееся во времени напряжение, то результат на эмит. переходе будет определятся алгебраической суммой этих напр

Определение H-параметров по характеристикам.
Параметры h11Э и h12Э определяются по входным характеристикам (рис. 4.11, а): h11Э=

Нагрузочные характеристики транзисторных усилителей. Уравнение, методика построения.
Включенные нагрузки в коллекторную цепь транзистора, работающего в усилительном каскаде, приводит к тому, что изменения коллекторного тока зависят как от изменений входного тока, так и от связанног

Параметры режима усиления. Формулы, методика определения по статическим гибридным характеристикам в схеме ОЭ,OБ
Основными параметрами, характеризующими режим усиления, являются: 1. Коэффициент усиления по напряжению: Kn=Vmвых/Umвх; (4.24) 2. Коэффициент усиления по току: K

Факторы, ограничивающие полезную выходную мощность БТ. Определение рабочей области на выходных статических гибридных характеристиках.
Полезная мощность на выходе транзисторного усилителя, как это видно из (4.25) определяется амплитудными значениями коллекторного тока ImK и коллекторного напряжения UmKK. Одна

Устройство, принцип действия, статические характеристики и параметры МДП-транзисторов с индуцированным каналом п- и р- типов.
Упрощенная структура МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типа показана на рис. 5.1. В подложке из кремния n-типа с высоким удельным сопротивлением методом диффузии созданы две сильно легиров

Устройство, принципы действия статические характеристики и параметры МДП-транзистора с управляющим р-п-переходом.
Структура такого транзистора изготовленного на основе полупроводника n-типа, показаны на рис.5.5, a. В полупроводнике n-типа созданы две области р-типа, образующие управляющий электрод - затвор. На

Устройство, принцип действия, статические характеристики и параметры МЕП-транзисторов.
Эти транзисторы являются основными активными элементами арсенид галлиевых микросхем. Одна из первых структур такого транзистора показана на рис.5.8 а. На полудиэлектрической подложке арсенида галли

Дифференциальные параметры полевых транзисторов и методика их определения по статическим характеристикам.
Свойства ПТ удобно рассматривать в Y-системе параметров, в которой в качестве функций используется входной и выходной токи, а аргументами служат входное выходное напряжения

Этапы изготовления полупроводниковых ИМС, обеспечивающие формирование в кристалле полупроводника транзисторной структуры.
Большинство полупроводниковых ИМС изготавливаются по планарно-эпитаксиальной технологии, сущность которой заключается в следующем. На кремневой подложке р-типа монокристаллический высокоомный слой

Интегральные транзисторы n-p-n и p-n-p. Способ увеличения коэффициента передачи тока h21Э транзистора типа p-n-p. Многоколлекторный транзистор.
Иногда в одном кристалле требуется создавать БТ типа n-p-n и p-n-p. В этом случае транзистор p-n-p изготовляют как горизонтальный (рис.6.4, а). Его недостатком является малое значение коэффициента

Интегральные транзисторы с инжекционным питанием. Структурная и эквивалентная схемы. Принципа работы.
Другой разновидностью биполярных интегральных транзисторов являются транзисторы с инжекционным питанием (рис.6.7, а). Области р1, n1 и р2 образуют горизонтальный p-n-p транзистор VT1, а области n1,

Диоды, резисторы и конденсаторы полупроводниковых ИМС.
Диоды биполярных проводниковых ИМС, как правило, представляют собой транзисторы в диодном включении (рис.6.3). В качестве резисторов в полупроводниковых ИМС применяются базовые слои транзи

Пленочные и гибридные ИМС, их отличительные особенности от полупроводниковых ИМС.
В пленочных ИМС пассивные элементы (конденсаторы, резисторы, небольшие индуктивности) выполняются в виде проводящих, резистивных и диэлектрических пленок, наносимых на общую диэлектрическую подложк

Фоторезисторы
Фоторезистором называют полупроводниковый фотоэлектрический прибор с внутренним фотоэффектом, в котором используется явление фотопроводимости, т е изменение электрической проводимости полупроводник

Фотоприемники
Фотоприемники - это оптоэлектронные приборы, предназначенные для преобразования энергии- оптического излучения в электрическую энергию Функции фотоприемников могут выполнять фоторезисторы, фотодиод

Фототранзисторы
Фототранзистором называют полупроводниковый управляемый оптическим излучением прибор с двумя взаимодействующими p-n-переходами (рис. 7.6) Фототранзисторы, как и обычные транзисторы, могут

Светодиод
Одним из наиболее распространенных источников оптического излучения является светодиод- полупроводниковый прибор с одним или несколькими электрическими переходами, преобразующий электрическую энерг

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги