Расчет энергетических параметров полупроводника

2.1. Произведя соответствующие расчеты, построить зависимость ln γ = f(1/Т);

2.2. Определить ширину запрещенной зоны исследуемого материала;

2.3. Высказать предположение и обосновать его: какой из известных полупроводниковых материалов исследовался в данной работе;

2.4. Сделать вывод о доминирующем механизме рассеяния в области истощения примесей, построив соответствующий участок кривой в координатах ln γ=f(lnT).

Справочные данные для проведения расчетов энергетических параметров полупроводника приведены в табл. 2.2 и 2.3.

 

 

Т а б л и ц а 2.2

Наименование параметра	Обозначение	Величина
Заряд электрона	е	-1,6·10-19 Кл
Постоянная Больцмана	k	8,62·10-5 эВ/К
Постоянная Планка	h	6,63·10-34 Дж·с
Масса покоя электрона	m0	9,10·10-28 г
Эффективная масса электрона в германии	mn*	0,56 m0
Эффективная масса дырки в германии	mр*	0,35 m0

Т а б л и ц а 2. 3

Полупроводник	Обозначение	∆W, эВ
Германий	Ge	0,66
Кремний	Si	1,12
Арсенид галлия	GaAs	1,43
Фосфид индия	InР	1,35