Основные свойства нелинейных диэлектриков, полупроводников, проводников и магнитных материалов

Все темы данного раздела:

Издательство Политехнического университета
Федеральное агентство по образованию __________________   САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ    

ТЕХНИКА БЕЗОПАСНОСТИ
При выполнении работ в лаборатории электротехнических материалов студенты обязаны помнить о возможности поражения электрическим током и необходимости соблюдения правил техники безопасности.

Основные положения
Д и э л е к т р и к – это вещество, основным электрическим свойством которого является способность поляризоваться в электрическом поле. Поляризацией называется процесс ограниченного смещения или ор

Описание измерительной установки
Свойства сегнетоэлектриков исследуются с помощью установки, принципиальная электрическая схема которой представлена на рис.1.8. Напряжение с сегнетоэлектрического кристалла Сх под

И горизонтального отклонений луча осциллографа
1.1. Включить осциллограф и прогреть его в течение 10 мин. 1.2. Переключателем П3 замкнуть накоротко горизонтальный вход осциллографа (положение 1). 1.3. Переключатель П2 поставит

Сегнетоэлектрического конденсатора
3.1. По кривой Сcт=f(U) определить напряжение, соответствующее максимальному значению емкости, и с помощью автотрансформатора установить на конденсаторе напряжение, кот

Библиографический список
1. Струков, Б. А. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах / Б. А. Струков, А. П. Леванюк. – М. : Наука, 1995.– 302 с. 2. Богородицкий, Н. П.

Основные положения
Электрический ток в полупроводниках, как впрочем, и в любых других материалах, определяется концентрацией и подвижностью свободных носителей заряда. Особенностью полупроводников является то, что их

Описание измерительной установки
Принципиальная схема измерительной установки приведена на рис. 2.4. От источника питания через регулятор тока на токозадающие зонды 1 и 4 образца поступает постоянное напряжение смеще

Измерение температурной зависимости проводимости
1.1. Включить установку в сеть 220 В; 1.2. Соответствующим тумблером осуществить выбор исследуемого образца; 1.3. Ознакомиться с градуировкой милливольтметра; 1.4. При ко

Расчет энергетических параметров полупроводника
2.1. Произведя соответствующие расчеты, построить зависимость ln γ = f(1/Т); 2.2. Определить ширину запрещенной зоны исследуемого материала; 2.3. Высказать предположен

Библиографический список
1. Шалимова, К. В. Физика полупроводников / К. В. Шалимова. – М. : Энергоатомиздат, 1985.- 392 с. 2. Пасынков, В. В. Материалы электронной техники / В. В.

Основные положения
Электропроводность металлов, проводников первого рода, обусловлена движением свободных электронов. Проводниками второго рода являются электролиты, в которых прохождение тока связано с движением ион

Определение удельного электрического сопротивления проводников
1.1. Включить шнур питания прибора Р4833 в сеть; 1.2. Включить тумблер «Сеть» на панели установки; 1.3. Включить тумблер «Установка 0»; 1.4. Принеобходимости установить 0

Определение электрического сопротивления резисторов
Собрать схему для измерения сопротивления резисторов и, последовательно изменяя положение переключателя «Резисторы» П2, измерить сопротивления исследуемых объектов при комнатной т

Обработка результатов измерений
1. Рассчитать удельное сопротивление исследованных металлических проводников; 2. Рассчитать температурный коэффициент удельного сопротивления исследованных металлических проводников;

Библиографический список
1. Пасынков, В. В. Материалы электронной техники / В. В. Пасынков, В. С. Сорокин.- СПб. : Изд-во Лань, 2001.- 368 с. 2. Богородицкий, Н. П. Электротехниче

Общие положения теории магнитного поля
Согласно теории магнитного поля плотность магнитного потока или магнитная индукция B, измеряемая в теслах (Тл), определяется напряженностью магнитного поля H и намагниченностью единицы объем

Порядок выполнения работы
1. Ручку ЛАТР’а вывести в нулевое положение. 2. Включить питание приборов и вывести электронный луч в центр экрана. 3. Поместить образец в пермеаметр. 4. Подать ЛАТР’ом

Библиографический список
1. Матвеев, А. Н. Электричество и магнетизм / А. Н. Матвеев.– М. : Оникс 21 век, 2005.– 464 с. 2. Тамм, И. Е. Основы теории электричества / И. Е. Тамм.– М