3.1. По кривой Сcт=f(U) определить напряжение, соответствующее максимальному значению емкости, и с помощью автотрансформатора установить на конденсаторе напряжение, которое меньше найденного на 20 30 В (в процессе опыта оно остается постоянным).
3.2. Измерить вертикальное отклонение луча от центра экрана.
3.3. С помощью переключателя П4 включить электронагреватель Rэн.
3.4. Через каждые 10оС (до 110 оС) записывать величину вертикального отклонения. Результаты измерений внести в табл. 1.3.
Т а б л и ц а 1.3
T, OC | xa, дел | Ua, В | ya, дел | Qa, Кл | Cст, Ф |
Содержание отчета
Отчет должен содержать:
1. Цель работы.
2. Принципиальную электрическую схему установки.
3. Основные формулы и соотношения, использованные в работе.
4. Таблицы, содержащие результаты измерений и вычислений, а также пример вычислений одной из строк каждой таблицы.
5. Графики зависимостей: Qa = f(U) – основная кривая заряда; рисунки петли гистерезиса при разных напряжениях; Cст = f(U), Qr = f(U), tgδ = f(U), Cст = f(T).
6. Технические характеристики использованного оборудования.
7. Выводы по работе.
Контрольные вопросы
1. Чем активные диэлектрики отличаются от пассивных?
2. С чем связано образование доменов в кристаллах сегнетоэлектриков?
3. В чем проявляются особенности спонтанной поляризации?
4. Как меняется доменная структура сегнетоэлектриков при увеличении электрического поля?
5. Что происходит в сегнетоэлектрике при его переходе из одной кристаллической фазы в другую?
6. Как экспериментально определить температуру Кюри?
7. Как меняется спонтанная поляризация при фазовом переходе первого и второго рода?
8. Что характеризует закон Кюри–Вейсса?
9. Какие существуют виды сегнетоэлектрических кристаллов?
10. В чем заключается принцип работы схемы Сойера–Тауэра?
11. Какие закономерности спонтанной поляризации можно анализировать осциллографическим методом?
12. Что такое антисегнетоэлектрики?