Природа и свойства связанных состояний. - раздел Электротехника, Экранирование электрического поля в полупроводниках. Дебаевская длина экранирования. Эффект поля Образование Квантовых Состояний Представляет Собой Чисто Квантово0-Механическ...
Образование квантовых состояний представляет собой чисто квантово0-механическое явление, т.к. в классической физике система разноименно заряженных частиц, взаимодействующих по закону Кулона, неустойчива. В квантовой механике схлопыванию положительного и отрицательного зарядов препятствует кинетическая энергия => сближение не выгодно, т.к. кинетическая энергия возрастает быстрее. Чем потенциальная U убывает.(). Всё зависит от того, сколько у частицы степеней свободы:
· В одномерном случае при наличии притяжения всегда возникают связанные состояния
Потенциальная
яма локализ.
состояний.
· В двумерной системе также всегда есть связанные состояния ,но энергия его экспоненциально мала.
E0=exp()
· В терхмерном случае состояние возникает не всегда.
Оно возникает при , с другой стороны поле не должно быть слишком сильным, иначе происходит падение на центр
, s>2 – возникает падение на центр, s=2,
В релятивистской области Т=рс (р-импульс, Т-кинетическая энергия). При =137 система не устойчива.
Система с зарядами экранирует внешнее поле если носители заряда связаны с атомами то уравнение Пуассона описывает экранирование электрического... уравнение Пуассона описывает экранирование эл поля в среде...
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ:
Природа и свойства связанных состояний.
Что будем делать с полученным материалом:
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Уровень электронейтральности и пиннинг уровня Ферми
Если есть сост., то оно м.б. либо заполнено, либо не заполнено. Сущ. некий уровень E0–уровень электронейтральности, такой что если уровень Ферми совпадет с ур.
Р-n переходе.
Ток – состояние неравновесное, можно ввести квазиуровни Ферми.
ВАХ реального диода.
1 и 3 области – причина токов генерации и рекомбинации в объеме перехода.
ВАХ контакта Шоттки.
Положительное смещение соответствует минусу на Ме и плюсу на п/п n типа (зоны смещаются вверх). При положительном барьер уменьшается, при отрицательном сужается (возрастает).
Свойства глубоких уровней.
1. Амфотерность – любая примесь может быть и донором и акцептором.
2. Многозарядность – один и тот же примесный атом может создавать несколько различных уровней с различающимся зарядом.
Методы описания
Метод эффективной массы вследствие r0~a(переменной решетки), не применим(волновая функция плавно меняется на периоде решетки!). Для наглядного описания модно пользоваться методом сильной
Опыт Дорфмана.
Через тонкую никелевую фольгу толщиной - 20 мкм, помещенную между полюсами электромагнита нормально к ее поверхности, пропускался пучок электронов. При постановке опыта никелевая фольга была нама
Микроскопическая природа ферромагнетизма
Атомы или ионы приобретают магнитный момент, как правило, если они имеют нескомпенсированные спины электронов. Например в атомах железа на внутренней 3d-оболочке имеется четыре нес
Обменное взаимодействие.
Причина магнитного упорядовачиния связана с кулоновским взаимодействием электронов.Которое зависит от спина.Когда мы рассматриваем основные приближения зонной теории то при описании
Теория Гинзбурга-Ландау
Будем описывать теорией фазовых переходов II рода. Вопрос состоит в том, чтобы выбрать в качестве параметра порядка.
Гинзбург и Ландау в качестве параметра порядка предложили взять
Новости и инфо для студентов