рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Оптические свойства диэлектриков.

Оптические свойства диэлектриков. - раздел Электротехника, Экранирование электрического поля в полупроводниках. Дебаевская длина экранирования. Эффект поля ...

, где - диэлектрическая проницаемость с учетом динамической поляризации .


1 - полоса непрозрачности.

1 - , 2 - , a – поперечный фонон, b – продольный фонон.

3 – связанные фонон-фононные колебания. При квантовом описании им соответствуют свои новые частицы – поляритоны.

В объемных кристаллах колебания кристалла – это фононы. Для образования поляритона частота э/м поля находиться в области собственных резонансов кристалла (частота резонанса должна быть достаточно мала).

Существуют другие типы резонансов с образованием аксетонов (связанное состояние электрон-дырка).

32.Сегнетоэлектрики и пироэлектрики. Основные типы сегнетоэлектриков.
Микроскопические механизмы сегнетоэлектрического перехода.

 

Сегнетоэлектрик – вещество, в котором при некоторой (Крит.) возникает спонтанная поляризация. (при внешнем поле )

; ; При Е=0 ; система не устойчива.

Типы сегнетоэлектриков :

1) Упорядочения – кристаллы с водородными связями; Водород легко отдаёт свой электрон, что приводит к возникновению поляризации. Малый радиус легко меняется направление дипольного момента:

P=0; P0;

Замена водорода на дейтерий повышает в 2 раза, увеличивается радиус.

2) Смещения – ионный кристалл. Ионы взаимодействуют друг с другом. Возникает флуктуация внутренне полеполяризация (обратная связь, неустойчивость системы) ; ; ; =2930К;

Микроскопические механизмы сегнетоэлектрического перехода. 1)Поляризационная «катастрофа»

; Если поляризуемость возрастает ; Нарастание диэлектрической проницаемости.

Локальное электрическое поле, обусловленное поляризацией, возрастает быстрее, чем упругие тормозящие силы, действующие на ионы в кристалле. Что приводит к ассиметричным смещениям ионов из положения равновесия. Для все положительные ионы смещены вверх (Ва, Ti), все отрицательные смещены в низ (O)

2) Из соотношения Видемана-Франца ; =эквивалентно, что =0;

Ситуация, когда имеет место понижение некоторой собственно частоты, называется смягчением соответствующей моды колебаний. В данном случае при переходе в сегнетоэлектрическое состояние, происходит смягчение поперечной оптической моды колебаний в системе.

В ФТТ существуют различные исследования влияния взаимодействия на частоты. Такой механизм называется мягкой модой.

Пироэлектрики

Пироэлектрики – вещества, у которых существует поляризация при любой температуре, вплоть до температуры плавления. Иначе это сегнетоэлектрик, у которого Тс находится выше Тплавл . Наличие поляризации означает отсутсвие инвариантности системы относительно инверсии координат. Т.е. пироэлектриком могут быть только не центросимметричные вещества, группа симметрии которых не содержит центра инверсии и допускает существование полярной оси.


33 Макроскопическое описание сегнетоэлектрического перехода. Теория Ландау и понятие параметра порядка. Закон Кюри-Вейсса для диэлектрической проницаемости. Домены.

Описание строиться на основе общей теории Ландау фазовых переходов.

Фазовые переходы:

I рода: свойства системы меняются скачком.

II рода: свойства системы меняются непрерывно. Для описания переходов II рода Ландау предложил подход, основанный на разложении энергии вблизи Т перехода в ряд по степеням параметра порядка. Параметр порядка – физическая величина, которая характеризует изменения свойств системы при фазовом переходе. Как правило фазовый переход сопровождается изменением симметрии системы. Поэтому, часто параметром порядка называют физическую величину, которая несёт информацию об изменении симметрии системы. Примеры параметра порядка: ; - переход в магнитное состояние; - магнитный момент; - антиферромагитный вектор; - функция, тоже параметр перехода.

Закон Кюри-Вейсса (обращение в )

Разложения Ландау: ; F- плотность свободной энергии. - член взаимодействия с полем. ; ;

- макроскопические хар-ки

1) E=0; Условие min свободной энергии: ; ; -равновесное условие. ; существует только для , оно и есть решение для min свободной энергии.

С изменением температуры возникает новое физическое свойство.

 

2) , найдём ;

- индуцир.внеш.полем; - спонтанная;

Условие min энергии ;

; ;

;

 

 


34. Магнитные свойства вещества. Типы магнетиков.

 

С макроскопической точки зрения магнитные свойства вещества описываются магнитной проницаемостью µ , - индукция магнитного поля.

,

Намагниченность - плотность магнит. момента вещества

Вещества в которых при называются ферромагнетиками

Пусть при, , тогда где - магнитная восприимчивость, то

По определению при T=0 при F=E-TS F-свободная энергия.

Тогда при - парамагнетики.

При - диамагнетики.

Причиной возникновения магнитного момента может служить ориентация спинов или(и) орбитальное движение носителей заряда ( микроскопические электрические токи).

И токи, и спины могут быть связанны как с электронами атомных остовов , так и с валентными делокализованными электронами.

Если магнитный момент определён электронами атомных остовов, то магнетики с локализованными моментами.

Если наш момент определяет делокализованный электрон, то такие магнетики называются несобственными.

Парамагнетизм локализованных моментов - парамагнетизм Кюри.

Парамагнетизм делокализованных моментов - парамагнетизм Паули.

Диамагнетизм локализованных моментов - диамагнетизм Ланжевена.

Диамагнетизм делокализованных моментов - диамагнетизм Ландау.

Классификация магнетиков по пространственному распределению:

1) Ферромагнетики ( все моменты в одну сторону)

 

2) Антиферромагнетики , но ( имеются минимум 2 подрешётки и моменты этих решёток равны и противоположны)

Ферримагнетики


Диамагнетизм Ланжевена атомов и молекул с заполненными оболочками и
диамагнетизм Ландау электронного газа.

Диамагнетизм локальных моментов- диамагнетизм Ланжевена

Диамагнетизм делокализованных моментов - диамагнетизм Ландау

На микроскопическом уровне взаим. вещ-ва с магнит. полем связанно с движением заряженных частиц и их спином. При этом если отношение орбитального магнитного момента к механ. орбитальному моменту есть -e/2mc , то для спинового (-e/2mc)*g0 , g0≈2

Магнитное поле в гамильтониан можно ввести 2 способами :

1) в орбитальную компаненту ; (импульс удлиняется), (*)

2) в спиновую степень свободы ∆=g0μBHSz ,

rot=;

div=0; Удобно выбрать калибровку подставим в (*)

, где -гамильтониан ( писать как H )

Далее применяем теорию возмущения. При этом для n-го уровня возникает следующий

 

|n>-собственные волновые функция n-го уравнения в отсутствии возмущения

Возникает 3 члена

Пусть имеем дело с полностью заполненной оболочкой. В атомах заполнение электронных оболочек происходит по правилу Хунта. n-главное квантовое число

l-орбитальное квантовое число ,m –магнитное квантовое числа, s –спин. J- полный момент.

 

где J : ...L+S ... |L-S|

В случае полной замкнутой оболочки это означает что, в ∆E остаётся только 3 последний член

, F-свободная энергия


– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Экранирование электрического поля в полупроводниках. Дебаевская длина экранирования. Эффект поля

Система с зарядами экранирует внешнее поле если носители заряда связаны с атомами то уравнение Пуассона описывает экранирование электрического... уравнение Пуассона описывает экранирование эл поля в среде...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Оптические свойства диэлектриков.

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Поверхность и поверхностные состояния, уровень электронейтральности.
С точки зрения зонной теории пов-ть предст. собой нарушение периодич. крист. т.е дефект. С дефектами м.б. связаны локал

Уровень электронейтральности и пиннинг уровня Ферми
Если есть сост., то оно м.б. либо заполнено, либо не заполнено. Сущ. некий уровень E0–уровень электронейтральности, такой что если уровень Ферми совпадет с ур.

Р-n переходе.
Ток – состояние неравновесное, можно ввести квазиуровни Ферми.

ВАХ реального диода.
1 и 3 области – причина токов генерации и рекомбинации в объеме перехода.

Проблема пиннинга уровня Ферми поверхностными состояниями.
Биполярный транзистор представляет собой два p-n перехода, включеных навстречу друг другу. База тонкая

Контакты металл – полупроводник.
Контакт Шоттки: вольт – амперная характеристика.

ВАХ контакта Шоттки.
Положительное смещение соответствует минусу на Ме и плюсу на п/п n типа (зоны смещаются вверх). При положительном барьер уменьшается, при отрицательном сужается (возрастает).

Распределение квазиуровней Ферми.
В диодной теории: В диффузионной теории: Скачком меняется квазиуровень Фер

Вычисление теплоемкости дял промежуточных температур.
Существуют две модели: 1)Эйнщтейна (рассматривает оптические моды колебаний , все колебания практически одинаковы)

Экспериментальные методы исследования фононного спектра.
Чтобы определить закон дисперсии фононов необходимо подобрать такое воздействие, эн. кот. будет соответствовать энергии фононов. Макс. энергия фононов опр-ся

Критерий Линдемана
Критерий устойчивости кристаллической решетки. – для подавляющего большинства твердых тел

Зависимость ширины запрещенной зоны полупроводников IV группы и соединений АIIIBV от давления.
Известно, что в Si , в Ge, GaAs

Природа и свойства связанных состояний.
Образование квантовых состояний представляет собой чисто квантово0-механическое явление, т.к. в классической физике система разноименно заряженных частиц, взаимодействующих по закону Кулона, неусто

Сильнолегированные и аморфные полупроводники, структура энергетического спектра.
Ранее рассматривались примеси без учета их взаимодействия друг с другом (ситуация одиночной примеси). При увеличении ко

Механизмы локализации носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках.
1. Механизм Андерсена:   Центры ям расположены периодически, а глубины хаотично меняются.

Свойства глубоких уровней.
1. Амфотерность – любая примесь может быть и донором и акцептором. 2. Многозарядность – один и тот же примесный атом может создавать несколько различных уровней с различающимся зарядом.

Методы описания
Метод эффективной массы вследствие r0~a(переменной решетки), не применим(волновая функция плавно меняется на периоде решетки!). Для наглядного описания модно пользоваться методом сильной

Парамагнетизм Паули. Закон Кюри для магнитной восприимчивости твердых тел с локализованными моментами.
В Ме принцип Паули жёстко фиксирует состояние частиц. Изменить его можно только электроном в узком слое вблизи поверхности Ферми

Приближение среднего поля.
Вейсс предположил, что наряду с внешним полем действует и внутреннее молекулярное поле Вейсса: , где Н – внешнее поле,

Молекулярное поле Вейсса. Микроскопическая природа ферромагнетизма и опыт Дорфмана.
Внутреннее молекулярное поле Вейсса. Впервые идею о внутреннем молекулярном поле в ферромагнетике, вызывающем самопроиз

Опыт Дорфмана.
Через тон­кую никелевую фольгу толщиной - 20 мкм, помещенную между полюсами электромагнита нормально к ее поверхнос­ти, пропускался пучок электронов. При постановке опыта никелевая фольга была нама

Микроскопическая природа ферромагнетизма
Атомы или ионы приобретают магнитный момент, как правило, если они имеют нескомпенсированные спины электронов. Например в атомах железа на внутренней 3d-оболочке имеется четыре нес

Обменное взаимодействие.
  Причина магнитного упорядовачиния связана с кулоновским взаимодействием электронов.Которое зависит от спина.Когда мы рассматриваем основные приближения зонной теории то при описании

Магнитоэлектроника. Магнитные домены и доменные границы. Магниторезистивный эффект. Магнитные элементы памяти.
  Возникновение доменов связывают со стремлением системы уменьшить энергию магнитных полей, возникающую, если на поверхности образца имеется отличная от нуля компонента вектора намагн

Квантование магнитного потока в сверхпроводниках.
Квантование потока. В сверхпроводнике имеет место эффект Мейсснера:

Теория Гинзбурга-Ландау
Будем описывать теорией фазовых переходов II рода. Вопрос состоит в том, чтобы выбрать в качестве параметра порядка. Гинзбург и Ландау в качестве параметра порядка предложили взять

Стационарный и нестационарный эффекты Джозефсона.
Существует два эффекта – стационарный и нестационарный. Стационарный. 1 – сверхпроводник 2 – сверхпроводник 3 – диэлектрик это туннельный контакт

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги