рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Раздел Электротехника
/
Магнитоэлектроника. Магнитные домены и доменные границы. Магниторезистивный эффект. Магнитные элементы памяти.

Реферат Курсовая Конспект

Выберите учебное заведение

Магнитоэлектроника. Магнитные домены и доменные границы. Магниторезистивный эффект. Магнитные элементы памяти.

Магнитоэлектроника. Магнитные домены и доменные границы. Магниторезистивный эффект. Магнитные элементы памяти. - раздел Электротехника, Экранирование электрического поля в полупроводниках. Дебаевская длина экранирования. Эффект поля Возникновение Доменов Связывают Со Стремлением Системы Уменьш...

Возникновение доменов связывают со стремлением системы уменьшить энергию магнитных полей, возникающую, если на поверхности образца имеется отличная от нуля компонента вектора намагничености

поле замыкается вблизи поверхности, если min энергией обладает стенка Блоха.

В ней при переходе от одного домена к др. намагнченость поворачивается в плоскости стенкив области стенки в образце конечных размеров, что приводит к ......энергии

Стенка Несли(рисунок справа) остается в плоскости

Существуют разные дефекты в стенках. Их возникновение м.б. из-за возникновения зарядов на поверхности(скручивание стенки)

---линии Блоха(линии, которые разделяют 2 части стенки с разными направлениями вращения) Топологический дефект-нельзя устранить непрерывными изменениями магнитного момента

--- Блох линию можно скрутить; граница двух блох линий с разной ориентацией-блоховская точка

---цилиндрический магнитный домен(ЦМД), пленки, вырезанная перпендикулярно линии(оси) легкого намагничивания

Пленка разобъется на домены.

..... поле по оси легкого намагничивания, существует некий интервал полей , внутри которого домены, намагниченость которых направлена против поля, имеют строго цилиндрическое поле

-электическое поле, домен становится электическим

-домен исчезает

Ячейки памяти:

предложения об использовании ЦМД, ВБЛ(вертикальная блох линия), блох точек качестве носителей информации в силу низкого быстродествия не получили широкого распространения. Основн магн. элемент памяти-элемент считывания информации на основе ГМР(......магнитно-резестивных) характеристик позволяет увеличить емкость винчестера до трех порядков

ГМС(гис-магн сопротивление)

расмотрим 2 магнит пленочки(намагниченость мб паралельна или антипаралельна)

39 Сверхпроводимость: бозе-конденсация и сверхтекучесть, идеальная
проводимость и эффект Мейсснера.

Сверхпроподимость открыта в 1911 году Каерлингом-Онесом(он научился сжимать Не)

впервые открыта для Ртути: =4,15 К

(скачком)

=23 К

=9,25 К

=5,4 К

В 1987 Беднорц и Мюллер в соединениях:

=34К-слоистые пироциты

(играет роль легирующей добавки)

магнитный п/п

Далее =92,4 К

=133 К

помимо еще в 1933 г Мейснером и Оконфейдом было установлено, что в сверхпроводнике (СП) следует ; - идеальный ферромагнетик

Если , то магнитное поле выталкивается

свободная энергия в поле=свободная энергия вне поля+энергия поля

Если H увеличивается, то стремится к и при некотором значении He может стать Me.

существует два типа СП

переход происходит скачком.

второго рода

поле проникает в образец ,нижн и верхн критч магнитн поля

Если же рассматривать сферу, то из-за сгущения силовых линий на экваторе образец переходит в промежуточное состояние(чередование нормальных и СП доменов на границе )

В СП второго рода при магнитное поле проникает в образец в виде вихрей Абрикосова

Сверхпроводники I и II рода: промежуточное и смешанное состояние. Две характерные длины сверхпроводников и поверхностная энергия границы фаз.

По характеру перехода в нормальное состояние во внешнем магнитном поле сверхпроводники делятся на 2 рода.

Сверхпроводники I рода.

Отсюда: B=0 , - эффект Мейсмера.

Сверхпроводники II рода.

От 0 до - сверхпроводниковое состояние

От до - вихревое состояние

От - нормальное состояние.

- нижнее критическое поле; - верхнее критическое поле

Развернуть

Открыть в широком формате

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Экранирование электрического поля в полупроводниках. Дебаевская длина экранирования. Эффект поля

Система с зарядами экранирует внешнее поле если носители заряда связаны с атомами то уравнение Пуассона описывает экранирование электрического... уравнение Пуассона описывает экранирование эл поля в среде...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Магнитоэлектроника. Магнитные домены и доменные границы. Магниторезистивный эффект. Магнитные элементы памяти.

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Поверхность и поверхностные состояния, уровень электронейтральности.
С точки зрения зонной теории пов-ть предст. собой нарушение периодич. крист. т.е дефект. С дефектами м.б. связаны локал

Уровень электронейтральности и пиннинг уровня Ферми
Если есть сост., то оно м.б. либо заполнено, либо не заполнено. Сущ. некий уровень E0–уровень электронейтральности, такой что если уровень Ферми совпадет с ур.

Р-n переходе.
Ток – состояние неравновесное, можно ввести квазиуровни Ферми.

ВАХ реального диода.
1 и 3 области – причина токов генерации и рекомбинации в объеме перехода.

Проблема пиннинга уровня Ферми поверхностными состояниями.
Биполярный транзистор представляет собой два p-n перехода, включеных навстречу друг другу. База тонкая

Контакты металл – полупроводник.
Контакт Шоттки: вольт – амперная характеристика.

ВАХ контакта Шоттки.
Положительное смещение соответствует минусу на Ме и плюсу на п/п n типа (зоны смещаются вверх). При положительном барьер уменьшается, при отрицательном сужается (возрастает).

Распределение квазиуровней Ферми.
В диодной теории: В диффузионной теории: Скачком меняется квазиуровень Фер

Вычисление теплоемкости дял промежуточных температур.
Существуют две модели: 1)Эйнщтейна (рассматривает оптические моды колебаний , все колебания практически одинаковы)

Экспериментальные методы исследования фононного спектра.
Чтобы определить закон дисперсии фононов необходимо подобрать такое воздействие, эн. кот. будет соответствовать энергии фононов. Макс. энергия фононов опр-ся

Критерий Линдемана
Критерий устойчивости кристаллической решетки. – для подавляющего большинства твердых тел

Зависимость ширины запрещенной зоны полупроводников IV группы и соединений АIIIBV от давления.
Известно, что в Si , в Ge, GaAs

Природа и свойства связанных состояний.
Образование квантовых состояний представляет собой чисто квантово0-механическое явление, т.к. в классической физике система разноименно заряженных частиц, взаимодействующих по закону Кулона, неусто

Сильнолегированные и аморфные полупроводники, структура энергетического спектра.
Ранее рассматривались примеси без учета их взаимодействия друг с другом (ситуация одиночной примеси). При увеличении ко

Механизмы локализации носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках.
1. Механизм Андерсена: Центры ям расположены периодически, а глубины хаотично меняются.

Свойства глубоких уровней.
1. Амфотерность – любая примесь может быть и донором и акцептором. 2. Многозарядность – один и тот же примесный атом может создавать несколько различных уровней с различающимся зарядом.

Методы описания
Метод эффективной массы вследствие r0~a(переменной решетки), не применим(волновая функция плавно меняется на периоде решетки!). Для наглядного описания модно пользоваться методом сильной

Оптические свойства диэлектриков.
, где

Парамагнетизм Паули. Закон Кюри для магнитной восприимчивости твердых тел с локализованными моментами.
В Ме принцип Паули жёстко фиксирует состояние частиц. Изменить его можно только электроном в узком слое вблизи поверхности Ферми

Приближение среднего поля.
Вейсс предположил, что наряду с внешним полем действует и внутреннее молекулярное поле Вейсса: , где Н – внешнее поле,

Молекулярное поле Вейсса. Микроскопическая природа ферромагнетизма и опыт Дорфмана.
Внутреннее молекулярное поле Вейсса. Впервые идею о внутреннем молекулярном поле в ферромагнетике, вызывающем самопроиз

Опыт Дорфмана.
Через тонкую никелевую фольгу толщиной - 20 мкм, помещенную между полюсами электромагнита нормально к ее поверхности, пропускался пучок электронов. При постановке опыта никелевая фольга была нама

Микроскопическая природа ферромагнетизма
Атомы или ионы приобретают магнитный момент, как правило, если они имеют нескомпенсированные спины электронов. Например в атомах железа на внутренней 3d-оболочке имеется четыре нес

Обменное взаимодействие.
Причина магнитного упорядовачиния связана с кулоновским взаимодействием электронов.Которое зависит от спина.Когда мы рассматриваем основные приближения зонной теории то при описании

Квантование магнитного потока в сверхпроводниках.
Квантование потока. В сверхпроводнике имеет место эффект Мейсснера:

Теория Гинзбурга-Ландау
Будем описывать теорией фазовых переходов II рода. Вопрос состоит в том, чтобы выбрать в качестве параметра порядка. Гинзбург и Ландау в качестве параметра порядка предложили взять

Стационарный и нестационарный эффекты Джозефсона.
Существует два эффекта – стационарный и нестационарный. Стационарный. 1 – сверхпроводник 2 – сверхпроводник 3 – диэлектрик это туннельный контакт