Вопрос 49. БТ с общим эмиттером, его характеристики и параметры
Биполярный транзистор – это ППП, который состоит из трех взаимочередующихся областей проводимости, имеет электрический вывод из каждой области и предназначен для усиления мощности эл. сигнала, поступающего на его вход.
Исходя из структуры определения можно сделать вывод о том, что существует 2 типа биполярных транзисторов с взаимно противоположными характеристиками, а именно транзисторы проводимости n – p – n и p – n – p.
p – n – p n – p – n
Под действием входного напряжения дырки р-области преодолевают запирающий слой и попдадают в базу. Так как база узкая и низколегирована, не все дырки успевают в ней рекомбинировать, а только малый процент. Рекомбинированные носители составляют ток базы транзистора.Остальная часть дырок под воздействием поля потенциального барьера перехода КБ, а также под действием источника U2 переходит в коллектор. И далее во внешнюю цепь (рассматривается pnp с ОБ).
Коэффициент передачи тока:
В зависимости от полярности и величины UВХ транзистор может работать в 3-х режимах:
1 – режим отсечки (UВХ ниже порогового; через транзистор в выходной цепи ток не протекает за исключением теплового тока).
2 – активный режим (UВХ находится в пределах больше порогового и меньше насыщения; выходной ток пропорционален входному; данный режим используется в усилителях).
3 – режим насыщения (UВХ превышает U насыщения; в выходной цепи протекает максимально допустимый ток, который ограничивается только внешними элементами транзистора).
Режим отсечки и насыщения используется в транзисторных ключах, т.е. ключ открыт, ключ – закрыт, а также в усилительных каскадах при цифровой записи сигналов.
Исследуя зависимости входных и выходных напряжений и токов, можно получить вольтамперные характеристики, определяющие основные параметры транзистора в любой требуемой точке. Данные параметры отображаются при помощи h – параметров, которые характеризуют:
h11 – входное сопротивление транзистора;
h12 – коэффициент обратной связи по U;
h21 – статический коэффициент усиления тока базы;
h22 – выходная проводимость транзистора;
Данные h – параметры вычисляются по вольтамперным характеристикам между двумя ветвями из семейства характеристик.