рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Постоянные запоминающие устройства

Постоянные запоминающие устройства - раздел Электротехника, Пороговые устройства. Триггеры Шмитта. Классификация и основные характеристики полупроводниковых ЗУ   Внутреннюю Структуру Большинства Схем Однократно Программируе...

 

Внутреннюю структуру большинства схем однократно программируемых ПЗУ можно пояснить на примере микросхемы К556РТ7:

 

 

 

Входные усилители развязывают источник адреса с многочисленными приемниками адреса внутри микросхемы. В соответствии с одним из активных выходов на дешифраторе строк DCX выбирается одинаковая строка во всех матрицах накопителя М, а дешифратор столбцов DCY определяет, какую одну из этих строк передать на выход. Сигналы выборки кристалла Csi управляют режимом работы – чтение или хранение. В приведенном примере таких входов несколько и они объединены логической функцией «И».

На принципиальном уровне такая микросхема обозначается следующим образом:

  В однократно программируемых ПЗУ матрица накопитель М представляет собой ортогональные проводники, в местах пересечения которых находится полупроводниковый элемент (диод или транзистор), с последовательно включенной плавкой перемычкой.  

В отсутствии плавкой перемычки (после прожигания) при поступлении сигналов по шине Х цепь эмиттера транзистора разомкнута, на выходе логический нуль. При наличии перемычки транзистор включен по схеме с общим эмиттером и при появлении потенциала на базе на выходе появится логическая единица.

Работу ПЗУ поясняет временная диаграмма:

 

 

Диаграмма определяет последовательность подачи адресного сигнала и управляющего сигнала на входе CS (выбора микросхемы). Их взаимное расположение и длительность регламентируются паспортными данными на микросхему. С некоторой задержкой относительно сигнала CS выходы переходят в рабочее состояние и информация будет готова к считыванию.

 

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Пороговые устройства. Триггеры Шмитта. Классификация и основные характеристики полупроводниковых ЗУ

Комплексная цель третьего модуля.. Познакомиться с основами структурной и функциональной организации буферных.. Пороговые устройства Триггеры Шмитта..

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Постоянные запоминающие устройства

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Буферные элементы
Буферные элементы служат для буферирования шин и управляющих сигналов, формирования сигналов (улучшения фронтов), усиления по току, включения или выключения третьего состояния. В основном эти элеме

Формирование импульсов
  Устройства, формирующие короткие импульсы по фронтам входного сигнала, называют формирователями импульсов. Сформированные таким образом сигналы можно использовать для установки в но

Генераторы прямоугольных импульсов.
Генераторы предназначены для формирования последовательности электрических импульсов с целью синхронизации работы устройств. В общем случае импульсы могут быть различной формы, но в цифровой техник

Запоминающие устройства
Запоминающие устройства (ЗУ) предназначены для приема, хранения и выдачи цифровой информации, представленной двоичными кодами. ЗУ могут использоваться для хранения программ, подпрограмм, исходных,

Типы ЗУ и их назначение
  По своему назначению ЗУ делятся на четыре основных типа: - СОЗУ – сверхоперативное ЗУ; - ОЗУ – оперативное ЗУ; - ПЗУ – постоянное ЗУ; - ВЗУ – вне

Наращивание размерности блока постоянной памяти
  Предположим, что в соответствии с техническим заданием необходимо разработать блок постоянной памяти емкостью N*M, где N – число слов, М – разрядность, с быстродействием tвыб

Статические оперативные запоминающие устройства
  Элементом памяти статических ОЗУ является триггер на биполярных или МДП транзисторах. Статические ОЗУ энергозависимы и могут иметь матричную или словарную организацию. В случае слов

Наращивание размерности блока статического ОЗУ.
  Предположим, что в соответствии с техническим заданием необходимо разработать блок статического ОЗУ емкостью N*M, где N – число слов, М – разрядность слов, с быстродействием tв

Динамические оперативные запоминающие устройства
  Динамические ОЗУ (ДОЗУ) могут иметь словарную или матричную организацию, но чаще имеют матричную. В качестве элемента памяти используется конденсатор внутри МДП – структуры. Наличие

Часть 1
  При выполнении заданий А1 – А10 в бланке ответов под номером выполняемого задания поставьте знак "´" в клеточке, номер которой соответствуе

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги