рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Статические оперативные запоминающие устройства

Статические оперативные запоминающие устройства - раздел Электротехника, Пороговые устройства. Триггеры Шмитта. Классификация и основные характеристики полупроводниковых ЗУ   Элементом Памяти Статических Озу Является Триггер На Биполярн...

 

Элементом памяти статических ОЗУ является триггер на биполярных или МДП транзисторах. Статические ОЗУ энергозависимы и могут иметь матричную или словарную организацию. В случае словарной организации адресуется n-разрядное слово. При этом входы - выходы данных могут быть как совмещенными, так и раздельными. Если входы - выходы данных совмещены, то режим записи с одновременным чтением невозможен. В случае матричной (одноразрядной) организации входы - выходы данных, как правило, раздельные.

Обобщенную структуру БИС ОЗУ статического типа со словарной организацией можно представить следующим образом:

 

В соответствии с кодом, установленным на шине адреса, на выходах дешифраторов строк и столбцов активизируется одна из выходных шин. С помощью дешифратора строк DCX во всех матрицах накопителя М выбирается одна и та же строка, а с помощью дешифратора столбцов DCY выбирается одна из этих строк для последующей записи или чтения. В зависимости от комбинации управляющих сигналов на входах CS, ОE и схема может находится в одном из трех режимов: запись, чтение или хранение. В режиме записи информация с входов - выходов DIO через устройство ввода вывода (Увв/выв) и усилитель записи – чтения (Зп/Счит) записывается в предварительно выбранную строку накопителя М. В режиме чтения информация считывается с выбранной строки и через устройство ввода вывода передается на выходы DIO.

На функционально и принципиальном уровнях схема обозначается следующим образом:


 

      CS – сигнал выборки микросхемы (разрешается обращение к микросхеме): · CS =0, выбор кристалла микросхемы разрешен; · CS=1, выбор кристалла микросхемы запрещен; OE – сигнал управления разрешением выходов: · ОЕ=0 при CS=0, выходы разрешены (в рабочем состоянии); · ОЕ=0 при CS=1, выходы в третьем состоянии. · ОЕ=1 при CS=Х (безразличное состояние), выходы в третьем состоянии. сигнал управления режимом работы: · =0, CS=0, OE=X, запись; · =1, CS=0, OE=0, чтение; · =Х, CS=1, OE=Х, хранение.  

Работу асинхронных БИС ОЗУ статического типа поясняют временные диаграммы в режимах записи и чтения. Паспортные данные на микросхему определяют последовательность подачи адресных и управляющих сигналов, временные интервалы между сигналами и их длительность. Следует обратить внимание на требования к форме сигналов CS и . В асинхронных статических ОЗУ эти сигналы представлены в форме уровней напряжения, которые соответствуют 0 или 1 в зависимости от режима, а в синхронных имеется требование импульсного представления, причем, чаще всего только сигнала CS [ ]. Чтение и запись могут инициироваться как сигналом CS так и сигналом . На временных диаграммах основной и дополнительный режимы отмечены обычной и пунктирной линиями.

Режим записи:

 

Режим чтения:

 

В режиме записи в соответствии с адресом А формируется сигнал CS=0. Состояние сигнала ОЕ безразлично и он на диаграмме не показан. С некоторой установленной задержкой относительно сигнала CS приходит активный нулевой уровень сигнала . К этому моменту на входах данных должна присутствовать записываемая информация. Запись можно инициировать не только сигналом , но и сигналом CS при условии, что его активный уровень приходит после установки активного уровня (пунктирные линии диаграммы).

В режиме чтения последовательность прохождения и взаимное расположение сигналов адреса А и выбора микросхемы CS совпадают с режимом записи. Но при чтении сигнал разрешения выходов ОЕ=0, а сигнал управления записью-чтением =1. По аналогии с режимом записи процесс чтения можно начать не только с приходом единичного сигнала , но и по сигналу CS при условии, что активный (нулевой) уровень CS приходит после установки активного (единичного) уровня либо когда потенциального типа и равен единице.

 

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Пороговые устройства. Триггеры Шмитта. Классификация и основные характеристики полупроводниковых ЗУ

Комплексная цель третьего модуля.. Познакомиться с основами структурной и функциональной организации буферных.. Пороговые устройства Триггеры Шмитта..

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Статические оперативные запоминающие устройства

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Буферные элементы
Буферные элементы служат для буферирования шин и управляющих сигналов, формирования сигналов (улучшения фронтов), усиления по току, включения или выключения третьего состояния. В основном эти элеме

Формирование импульсов
  Устройства, формирующие короткие импульсы по фронтам входного сигнала, называют формирователями импульсов. Сформированные таким образом сигналы можно использовать для установки в но

Генераторы прямоугольных импульсов.
Генераторы предназначены для формирования последовательности электрических импульсов с целью синхронизации работы устройств. В общем случае импульсы могут быть различной формы, но в цифровой техник

Запоминающие устройства
Запоминающие устройства (ЗУ) предназначены для приема, хранения и выдачи цифровой информации, представленной двоичными кодами. ЗУ могут использоваться для хранения программ, подпрограмм, исходных,

Типы ЗУ и их назначение
  По своему назначению ЗУ делятся на четыре основных типа: - СОЗУ – сверхоперативное ЗУ; - ОЗУ – оперативное ЗУ; - ПЗУ – постоянное ЗУ; - ВЗУ – вне

Постоянные запоминающие устройства
  Внутреннюю структуру большинства схем однократно программируемых ПЗУ можно пояснить на примере микросхемы К556РТ7:       Входные у

Наращивание размерности блока постоянной памяти
  Предположим, что в соответствии с техническим заданием необходимо разработать блок постоянной памяти емкостью N*M, где N – число слов, М – разрядность, с быстродействием tвыб

Наращивание размерности блока статического ОЗУ.
  Предположим, что в соответствии с техническим заданием необходимо разработать блок статического ОЗУ емкостью N*M, где N – число слов, М – разрядность слов, с быстродействием tв

Динамические оперативные запоминающие устройства
  Динамические ОЗУ (ДОЗУ) могут иметь словарную или матричную организацию, но чаще имеют матричную. В качестве элемента памяти используется конденсатор внутри МДП – структуры. Наличие

Часть 1
  При выполнении заданий А1 – А10 в бланке ответов под номером выполняемого задания поставьте знак "´" в клеточке, номер которой соответствуе

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги