К полупроводниковым резисторам относят терморезисторы, болометры, позисторы, варисторы и фоторезисторы.
Терморезисторы. Они представляют собой полупроводниковые тепловые приборы с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления ТКС (кривая I, рис. 21, а). При увеличении температуры возникает термогенерация носителей заряда в материале полупроводника, вследствие чего снижается электрическое сопротивление терморезистора ТР. Различают ТР, реагирующие на изменение температур окружающей среды и на нагрев, вызванный проходящим через них током. Свойства ТР первой группы определяются температурной характеристикой Rr=Ф(t°), выражающей зависимость сопротивления прибора от температуры окружающей среды (кривая 2). Сврйства ТР второй группы оценивают по вольтампер-ной характеристике U=ф(I), которая .отражает его нагрев проходящим током и определяет нелинейные свойства прибора (рис. 21,6).
Параметрами терморезисторов являются:
сопротивление (ом) Rт при температуре 20 °С; а? — температурный коэффициент сопротивления, выражающий в процентах изменение сопротивления прибора при изменении температуры,на 1 °С (кривая 1 на рис. 21,а);
мощность рассеивания Pтi при которой температура не превышает допустимой;
постоянная времени т, характеризующая тепловую инерционность терморезистора ТР (т=Ст/Рр, где Ст — теплоемкость, представляющая энергию, необходимую для нагрева ТР на 1 °С, Вт*с/°С; РР — коэффициент рассеивания, т. е. мощность, рассеиваемая ТР при разности температур между ним и средой в 1 °С, Вт/°С).