Характеристики. Статические характеристики отражают зависимость между токами и напряжениями во входных и выходных цепях транзистора. Свойства транзисторов в основном оценивают с помощью семейства входных и выходных характеристик, снимаемых в схеме с ОБ и ОЭ.
Входные характеристики транзистора р-n-р в схеме с ОБ (рис. 54, а) выражают зависимость тока эмиттера Iэ от его напряжения относительно базы Uss, т. е. Iэ=ф(Uэб) при Uкб=const. В активном режиме при увеличении напряжения Uэв снижается потенциальный барьер в эмиттерном переходе. При этом усиливается инжекция неосновных носителей через переход и возрастает ток эмиттера.
Выходные характеристики в схеме с ОБ (рис. 54,6) представляют зависимость тока коллектора Iк=ф(Uкб) при Iэ=const. В активном режиме работы транзистора (Uко<0) значение тока в коллекторной цепи определяется числом инжектированных эмиттером в базу неосновных носителей заряда. При токе в эмиттере Iэ>0 увеличивается приток дырок в базу и их перенос к коллекторнрму переходу, поэтому Iк растет. Особенностью выходных характеристик в схеме с ОБ % является слабая зависимость тока Iк от напряжения Uкб- Допустимая мощность Рк макс, рассеиваемая в коллекторной цепи транзистора, показана на рисунке в виде параболической кривой.
Входные характеристики транзистора р-n-р в схеме в ОЭ (рис. 55, а) выражают зависимость тока базы Iб=ф(Uбэ) при UKa=const. При увеличении внешнего напряжения Uбэ уменьшается потенциальный барьер в эмиттерлом переходе, возрастает инжекция дырок в базу и увеличивается концентрация дырок в базе, что вызывает рост токов Iэ и Iк. Одновременно с увеличением избыточного заряда дырок в базе больше вероятность их рекомбинации, поэтому ток базы Iб тоже возрастает.