Таблица 117
Параметры | Типы транзисторов | ||
КТ347А | КТ347Б | КТ347В | |
Предельно допустимое напряжение UK9, В, при Rб<10 кОм | |||
Предельно допустимое напряжение Uкб, В | |||
Время рассасывания, не, при Iб1 = I62= 1 мА, Iк= 10 мА |
Модуль коэффициента передачи тока на f=100 МГц при Uк=5 В, Iэ=10 мА ........... 5
Обратный ток, мкА: коллектора при предельно допустимом UКб . 1
эмиттера при U3е=4 В « ......... 10
Начальный ток коллектора, мкА, при Rб<10 кОм и предельно допустимом UKa......... 5
Напряжение коллектор — эмиттер в режиме насыщения, В, при Iк=10 мА и Iб=1 мА...... 0,3
Емкость эмиттера, пФ, на частоте 10 МГц при Uэб=0.................. 8
Напряжение Uэо, В............ 4
Постоянный ток коллектора, мА ....... 50
Импульсный ток коллектора, мА ....... ll0
Мощность, мВт, рассеиваемая коллектором, при TС<55°С.......;......... 150
Тепловое сопротивление, °С/мВт ....... 0,5
Транзисторы р-n-р КТ349 (А, Б, В) выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (см. рис. 61, а), массой 0,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85°С, Электрические параметры транзисторов приведены ниже.
КТ349А | КТ349Б | КТ349В | |
Статический коэффициент передачи тока при Uк=1 В и Iа=10 мА ..... | 20 — 80 | 40 — 160 | 120 — 300 |
Модуль коэффициента передачи тока при f=100 МГц; и Iэ=10 мА ...... | |||
Предельная частота передачи тока, МГц .... . | |||
Обратный ток, мкА: коллектора при UK6= 10 В ...... | |||
эмиттера при UЭб=4 В Начальный ток коллектора, мкА, при Uкэ=4 В. Rб<20 кОм | 1 1,5 | ||
Напряжение, В, в режиме насыщения при Iк= 10 мА и Iб=1 мА: ика ........ | 0,3 | ||
иба . . . ..... | 1,2 | ||
Емкость перехода, пФ: коллекторного при UКб=5 В и f=10 МГц . . . | |||
эмиттерного при Uэс=0 и f=10 МГц .... | |||
Импульсный ток коллектора, мА, ПРИ Тиып<1 МКС | |||
Напряжение UКб, В ... | |||
Напряжение UЭб, В ... | |||
Напряжение Uкэ, В, при Rб<10 кОм . ..... | |||
Мощность*, мВт, рассеиваемая коллектором, при Tс= — 40+300С . . . . . |
* При температуре среды выше 30 °С мощность, мВт, РК.МаКС= ( 150-7 с)/0,6.
Транзисторы р-n-р КТ350А выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (см. рис. 61, а), массой 0,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85°С. Электрические параметры транзисторов приведены ниже.
Статический коэффициент передачи тока при Uк=1 В и Iэ=500 мА : . ........20 — 200
Модуль коэффициента передачи тока при f= 20 МГц, UH=5 В и Iэ=10 мА ....... 5
Емкость, пФ:
коллектора при Uиб=5 В и f=5-10 МГц . 70 эмиттера при UЭб=1 В и f=5-10 МГц ... 100
Напряжение в режиме насыщения, В, при Iк=500 мА и Iб=50 мА:
Um ................0,5
Uбэ ................1,25
Обратный ток, мкА:
коллектора при UKБ=10 В....... 1
эмиттера при Uэб=4 В........ 10
Импульсный ток коллектора, мА, при Тимп<1 мс . :..............боо
Напряжение UKэ, В, при Rб<10 кОм .... 15
Напряжение UKo, В...... . . . 20
Напряжение Uб, В........... 4
Мощность *, мВт, рассеиваемая коллектором,
при температуре от — 40 до +30°С .... 200 .
* При температуре среды более 30 °С мощность, мВт, Р К.МАКC= -J150-7- с)/0.6.
Транзисторы р-n-р К351 (А, Б) выпускаются а металлическом корпусе с .ибкими выводами (см. рис. 61, а), массой 0,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до + 85°С. Электрические параметры транзисторов приведены ниже.
КТ351А КТ351Б | |
Статический коэффициент передачи тока при UK=l В и Iэ=300 мА . . | 20 — 80 50 — 200 |
Модуль коэффициента передачи тока при f= 100 МГц, UK=5 В и Iэ=10 мА .......... | |
Емкость, пФ, при f=5-10 МГц: коллектора при UКб=5 В ... эмиттера при (7Эб=1 В .... | |
Напряжение, В, в режиме насыщения при Iк=400 мА и Iб=50 мА: UKa . . . . ; ..... ; . | 0,6 |
Uбэ ....... .... | 1,1 |
Обратный ток, мкА: коллектора при UКб=10 В . . эмиттера при Uэо=4 В .... | |
Импульсный ток коллектора, мА, при Тимп = 4 МКС . . ...... | |
Напряжение UK9, В, при Rб< .10 кО,м Напряжение Uкб, В ..... . | 15 20 |
Напряжение UЭб, В ..... , Мощность *, мВт, рассеиваемая коллектором, при температуре от -40 до +30 °С ........ | 4 200 |
* При температуре среды более 30 °С мощнвсть, мВт, Р ft,MaftG: = ( 150-Tc)/0,6.
Транзисторы p-n-р КТ373 (А — Г) выпускаются в пластмассовом корпусе (рис. 61, б) массой 0,1 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до 4- 85 °С. Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 118.
Таблица 118
Параметры | Типы транзисторов | |||
КТ373А | КТ373Б | KT373B | КТ373Г | |
Статический коэффициент передачи тока при Uк=5 В в Iэ= 1 мА | 100 — 250 | 200 — 600 | 500 — 1000 | 50 — 125 |
Модуль коэффициента передачи тока при IЭ=5мА и f=100МГц | ||||
Емкость коллектора, ПФ, При Uкб=б В | ||||
Напряжение Uкб, В | ||||
Напряжение переворота фазы тока базы при £«5мА |
Напряжение Uac, В ....... 5
Обратный ток, мкА:
коллектора при UKa=25 В ... 0,05 эмиттера при Uэб = 5 В . . . . . 30
Ток коллектора, мА: постоянный . . . . . . . . . 60
импульсный ......... 200
Предельная частота передачи тока базы, МГц . . . . . . .... .300
Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт . . . . . . . . . . . . 150
Сверхвысокочастотные. Транзисторы р-n-р ГТ328 (А, Б, В} применяются для работы в каскадах АРУ радиоприемных и телевизи-онных устройств метрового диапазона волн и выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 62, а), массой 2 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до -f55°C. Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 119.