А-КТ347 (KТ349, КТ350, КТ351), б-КТ373

Таблица 117

 

Параметры Типы транзисторов
КТ347А КТ347Б КТ347В
Предельно допустимое напряжение UK9, В, при Rб<10 кОм
Предельно допустимое напряжение Uкб, В
Время рассасывания, не, при Iб1 = I62= 1 мА, Iк= 10 мА

Модуль коэффициента передачи тока на f=100 МГц при Uк=5 В, Iэ=10 мА ........... 5

Обратный ток, мкА: коллектора при предельно допустимом UКб . 1

эмиттера при U3е=4 В « ......... 10

Начальный ток коллектора, мкА, при Rб<10 кОм и предельно допустимом UKa......... 5

Напряжение коллектор — эмиттер в режиме насы­щения, В, при Iк=10 мА и Iб=1 мА...... 0,3

Емкость эмиттера, пФ, на частоте 10 МГц при Uэб=0.................. 8

Напряжение Uэо, В............ 4

Постоянный ток коллектора, мА ....... 50

Импульсный ток коллектора, мА ....... ll0

Мощность, мВт, рассеиваемая коллектором, при TС<55°С.......;......... 150

Тепловое сопротивление, °С/мВт ....... 0,5

Транзисторы р-n-р КТ349 (А, Б, В) выпускаются в металличес­ком корпусе с гибкими выводами (см. рис. 61, а), массой 0,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85°С, Электрические параметры транзисторов приведены ниже.

  КТ349А КТ349Б КТ349В
Статический коэффициент передачи тока при Uк=1 В и Iа=10 мА ..... 20 — 80 40 — 160 120 — 300
Модуль коэффициента пе­редачи тока при f=100 МГц; и Iэ=10 мА ......    
Предельная частота пере­дачи тока, МГц .... .    
Обратный ток, мкА: коллектора при UK6= 10 В ......    
эмиттера при UЭб=4 В Начальный ток коллекто­ра, мкА, при Uкэ=4 В. Rб<20 кОм   1 1,5  
Напряжение, В, в режи­ме насыщения при Iк= 10 мА и Iб=1 мА: ика ........   0,3  
иба . . . .....   1,2  
Емкость перехода, пФ: коллекторного при UКб=5 В и f=10 МГц . . .    
эмиттерного при Uэс=0 и f=10 МГц ....    
Импульсный ток коллек­тора, мА, ПРИ Тиып<1 МКС    
Напряжение UКб, В ...    
Напряжение UЭб, В ...    
Напряжение Uкэ, В, при Rб<10 кОм . .....    
Мощность*, мВт, рассеива­емая коллектором, при Tс= — 40+300С . . . . .    

* При температуре среды выше 30 °С мощность, мВт, РК.МаКС= ( 150-7 с)/0,6.

Транзисторы р-n-р КТ350А выпускаются в металлическом кор­пусе с гибкими выводами (см. рис. 61, а), массой 0,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85°С. Электрические параметры транзисторов приведены ниже.

Статический коэффициент передачи тока при Uк=1 В и Iэ=500 мА : . ........20 — 200

Модуль коэффициента передачи тока при f= 20 МГц, UH=5 В и Iэ=10 мА ....... 5

Емкость, пФ:

коллектора при Uиб=5 В и f=5-10 МГц . 70 эмиттера при UЭб=1 В и f=5-10 МГц ... 100

Напряжение в режиме насыщения, В, при Iк=500 мА и Iб=50 мА:

Um ................0,5

Uбэ ................1,25

Обратный ток, мкА:

коллектора при UKБ=10 В....... 1

эмиттера при Uэб=4 В........ 10

Импульсный ток коллектора, мА, при Тимп<1 мс . :..............боо

Напряжение UKэ, В, при Rб<10 кОм .... 15

Напряжение UKo, В...... . . . 20

Напряжение Uб, В........... 4

Мощность *, мВт, рассеиваемая коллектором,

при температуре от — 40 до +30°С .... 200 .

* При температуре среды более 30 °С мощность, мВт, Р К.МАКC= -J150-7- с)/0.6.

Транзисторы р-n-р К351 (А, Б) выпускаются а металлическом корпусе с .ибкими выводами (см. рис. 61, а), массой 0,5 г, с диа­пазоном рабочих температур от — 40 до + 85°С. Электрические па­раметры транзисторов приведены ниже.

  КТ351А КТ351Б
Статический коэффициент передачи тока при UK=l В и Iэ=300 мА . . 20 — 80 50 — 200
Модуль коэффициента передачи тока при f= 100 МГц, UK=5 В и Iэ=10 мА ..........
Емкость, пФ, при f=5-10 МГц: коллектора при UКб=5 В ... эмиттера при (7Эб=1 В ....
Напряжение, В, в режиме насы­щения при Iк=400 мА и Iб=50 мА: UKa . . . . ; ..... ; . 0,6
Uбэ ....... .... 1,1
Обратный ток, мкА: коллектора при UКб=10 В . . эмиттера при Uэо=4 В ....
Импульсный ток коллектора, мА, при Тимп = 4 МКС . . ......
Напряжение UK9, В, при Rб< .10 кО,м Напряжение Uкб, В ..... . 15 20
Напряжение UЭб, В ..... , Мощность *, мВт, рассеиваемая коллектором, при температуре от -40 до +30 °С ........ 4 200

* При температуре среды более 30 °С мощнвсть, мВт, Р ft,MaftG: = ( 150-Tc)/0,6.

Транзисторы p-n-р КТ373 (А — Г) выпускаются в пластмассовом корпусе (рис. 61, б) массой 0,1 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до 4- 85 °С. Электрические параметры транзисторов приведе­ны в табл. 118.

Таблица 118

 

Параметры Типы транзисторов
КТ373А КТ373Б KT373B КТ373Г
Статический коэффи­циент передачи тока при Uк=5 В в Iэ= 1 мА 100 — 250 200 — 600 500 — 1000 50 — 125
Модуль коэффициента передачи тока при IЭ=5мА и f=100МГц
Емкость коллектора, ПФ, При Uкб=б В
Напряжение Uкб, В
Напряжение переворота фазы тока базы при £«5мА

Напряжение Uac, В ....... 5

Обратный ток, мкА:

коллектора при UKa=25 В ... 0,05 эмиттера при Uэб = 5 В . . . . . 30

Ток коллектора, мА: постоянный . . . . . . . . . 60

импульсный ......... 200

Предельная частота передачи тока базы, МГц . . . . . . .... .300

Мощность, рассеиваемая коллекто­ром, мВт . . . . . . . . . . . . 150

 

Сверхвысокочастотные. Транзисторы р-n-р ГТ328 (А, Б, В} при­меняются для работы в каскадах АРУ радиоприемных и телевизи-онных устройств метрового диапазона волн и выпускаются в метал­лическом корпусе с гибкими выводами (рис. 62, а), массой 2 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до -f55°C. Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 119.