А — ГТ905, б — КТ907, в — КТ908, г — КТ911

Высоко- и сверхвысокочастотные.Транзисторы р-n-р ГТ905 (А, Б) выпускают в металлопластмассовом или металлостеклянном корпусе (рис. 69, а), массой соответственно 7 и 4,5 г (с крепежным фланцем 6 г), с диапазоном рабочих температур от — 55 до +60°С. Электрические параметры транзисторов приведены ниже.

Статический коэффициент переда.чи тока при U„=10 В и Iк=3 А............35 — 100

Модуль коэффициента передачи тока для ГТ905Б при Uк=10 В, I_а=0,5 А и f=20 МГц . . 3

Постоянная времени цепи обратной связи, пс, при U_Кб=30 В, Iэ=0,03 А и f=10 МГц .... 300

Ток коллектора, А:

постоянный............. 3

импульсный при т_имп=_?20 мкс...... 7

Ток базы, А:

постоянный.............0,6

импульсный............. 1

Обратный ток, мА:

коллектора ..... ........ 2

эмиттера при U_Эб = 0,4 В ........ 5

Емкость коллектора, пФ, при U_Кб=30 В и f= 10 МГц................200

Напряжение, В, в режиме насыщения при 1_К= 3 А и I6=0,5 А:

база — эмиттер . . ........... 0,7

коллектор — эмиттер . ......... 0,5

Напряжение U_кэ, В, при разомкнутой цепи ба­зы и I_э = 3 А.............. 65

Напряжение U_кэ, В, для транзисторов:

ГТ905А............... 75

ГТ905Б............... 60

Напряжение U_кэ, В, на запертом транзисторе

для ГТ905А при т_имп = 20 икс ........ 130

Общее тепловое сопротивление, °С/Вт , , . _t 50

Мощность, Вт, рассеиваемая коллектором:

с теплоотводом при Т_к — — 55-+30°С ... 6

без теплоотвода при Г_н== — 55-+25°С ... 1,2

Температура перехода, °С......... 85

Транзисторы n-р-n КТ907 (А, Б) выпускают в металлокерамическом корпусе с винтом и жесткими выводами (рис. 69, б) , массой 5,3 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до + 85°С. Элект­рические параметры приведены в табл. 125.

Таблица 125

Параметры	Типы транзио торов
ГТ907А	ГТ907Б
Модуль коэффициента передачи тока при Uкэ=28 В, Iк= 400 мА и f=100 МГц	3,5
Постоянная времени цепи обратной связи, не, при Uк=т10 В Критический ток коллектора, мА, при Uкэ=10 В и f= 100 МГц	15 1000	25 800
Выходная мощность, Вт, при РВх=4 Вт, UKЭ = 28 В и f= 400 МГц
Емкость коллектора, пФ, при UКб — 30 В

Начальный ток коллектора, мА, при U_Кэ = 60В, R_б=100 Ом и температуре среды 20 и 85 °С соот­ветственно ............... 3 и 6

Ток коллектора, А:

постоянный............. 1

импульсный............. 3

Обратный ток эмиттера, мкА, при Uбэ=4 В и температуре среды 20 и 85 °С соответственно . 350 и 700

Ток базы, А .............. 0,4

Напряжение U_н, В, при котором наступает пе-

реворот фазы базового тока, при I_э=200 мАч . 40

Напряжение U_Кэ, В, при Rб=100 Ом .... 60

Напряжение U₉б, В.......... 4

Импульсное напряжение Uкв, В ..... - 70

Мощность *, Вт, рассеиваемая коллектором, при

Tк=25 °С . . . . . ........ . . . 13,5

Коэффициент полезного действия при £_к=28 В

и f=400 МГц, %............. 45

Температура корпуса, °С ........ 85

Температура перехода, ^ЬС ......... 120

* При температуре корпуса от 25 до 85 °С мощновть, Вт, Pк.макс=( 120-T _к^сС)/7,5.

Транзисторы n-р-n КТ908 (А, Б) выпускают в металлическом корпусе с жесткими выводами (рис. 69, в), массой 22 г, с диапазо­ном рабочих температур от — 60 до + 125 °С. Электрические пара­метры транзисторов приведены ниже.

Статический коэффициент передачи тока при U_K=2 В и Iк=10 А............. . 8 — 60

Начальный ток коллектора, мА, при U_Кэ=100 В 25

Ток коллектора,- А............ 10

Обратный ток эмиттера, мА, при U_Эб=5 В ... 50

Ток базы, А............... 5

Напряжение U_M, В, в режиме насыщения при I_к= 10 А и I_б=2 А............. 1,5

Напряжение U_Ka, В, при Т₀= — 60-100°С для групп:

КТ908А при R_б<10 Ом.......... 100

КТ908Б при Rб<250 Ом ......... 60

Напряжение U₈о, В............ 5

Граничная частота передачи тока, МГц .... 30 Мощность*, Вт, рассеиваемая коллектором, при

T_н<50°С.................. 50

Температура перехода, °С.......... 150

* При температуре корпуса выше 50 °С мощность, Вт, Рк.макс=(150 — T_к)/2.

Транзисторы n-р-n КТ911 (А — Г) выпускают в металлическом корпусе с плоскими выводами и монтажным винтом (рис. 69, г), массой 6 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85°С. Электрические параметры приведены в табл. 126.

Таблица 126

Параметры	Типы транзисторов
	КТ911А	КТ911Б	КТ9ИВ | КТ9ИГ
Модуль коэффициента пере* дачи тока при f=400 МГц, 1 U„=10 В и Iк=100 мА	1,5-5,2	2 — 3,8	2,5 — 5,2	2 — 3,8
Постоянная времени цепи
обратной связи, пс, при
f=5 МГц, Uк=10 В и Iк=
= 30 мА
Критический ток коллекто-
ра, мА, при f=400 МГц
Выходная мощность, Вт,
при Uк =28 В и Рвх=
= 0,4 Вт на частоте, ГГц:
1,8		—	0,8	—
	—			0,8
Ток коллектора, мА
Обратный ток коллектора,
мкА;
при Uкб =55 В			—	__
при Uкб =40 В	—	—
Обратный ток эмиттера,
мкА, при Uкб=3 В
Емкость коллектора, пФ,	3,5 — 10	3,5 — 10	3,5 — 10	3,5-10
при f=5 МГц и Uкб=
= 28 В
Напряжение UKB, В, . при
Напряжение UK6, В
Напряжение U3s, В
Мощность *, Вт, рассеивае-
мая коллектором при TК=
= — 40-+25°С
Температура корпуса, °С
Температура перехода, °С

* При температуре корпуса 25 — 85° С мощность, Вт, Рк.макс.=(120 — Tк)/33.