Для полупроводниковых приборов определены и стандартизованы значения основных электрических параметров и предельные эксплутационные характеристики, которые приводятся в справочниках. К таким параметрам относятся: напряжение (например, Uпр – постоянное прямое напряжение диода), ток (например, Iст, max – максимально допустимый ток в стабилизации стабилитрона, мощность (например, Pвых – выходная мощность биполярного транзистора), сопротивление (например, rдиф – дифференциальное сопротивление диода), емкость (например, Cк – емкость коллекторного перехода), время и частота (например, tвос, обр – время обратного восстановления тиристора, диода), температура (например, Tmax – максимальная температура окружающей среды). Число значений основных электрических параметров исчисляется сотнями, причем для каждого подкласса полупроводниковых приборов эти параметры будут различными.
В справочных изданиях приводятся значения основных электрических параметров и предельные эксплутационные характеристики полупроводниковых приборов. В таблицах 14 – 15 в качестве примера приведены данные для типичных представителей различных типов отечественных приборов и их зарубежных аналогов в соответствии со стандартами (ОСТ 11.336.919‑81 – Россия, JEDEC – США, Pro Electron – Европа, JIS‑C‑7012 – Япония).
Таблица 14. Биполярные транзисторы
| Тип прибора | Материал, структура, технологии | Pk max, мВт | Fгр, Fh216, Fh21, Мгц | Uкб оп, Uкэ rпр, Uкэ опр, В | Uэб опр, В | Iк max, Ik и max, мA | Ikбо, Ikэ r, мкA |
| КТ315И (ОСТ 11.336.919-81) | Si n-p-n | ³ 250 | £ 0.6 (10 В) | ||||
| 2N3904 (JEDEC) | Si n-p-n | £10 (60 В) | |||||
| BFX44 (Pro Electron) | Si n-p-n | ПЭ 360 | ³ 300 | 125 (250*) | £0,1 (20 B) | ||
| 2SC57 (JIS-C-7012) | Si n-p-n | ПЭ 360 | ³ 200 | £0,1 (15 B) |
Таблица 15. Диоды
| Тип прибора | Материал, структура, технологии | Uобр, В | Iобр. max, мкА | Uпр, В | Iпр. max, мА | Iном, мА | Сд, пФ |
| Д220Б(ОСТ 11.336.919-81) | Si | 0,4 | 1,5 | 30 (30В) | |||
| 1N4148 (JEDEC) | Si | 0,025 | 10 (6 В) |
Продолжение таблицы 15
| Тип прибора | Материал, структура, технологии | Uобр, В | Iобр. max, мкА | Uпр, В | Iпр. max, мА | Iном, мА | Сд, пФ |
| BAW63 (Pro Electron) | Si | 0,9 | - | ||||
| 1S307 (JIS-C-7012) | Ge | 0,75 | 0,5 |