Основные обозначения

А – постоянная Ричардсона

С – электрическая емкость

C_B – барьерная емкость p-n перехода

C_D – диффузионная емкость p-n перехода

C_FB – емкость плоских зон

C_p – емкость свободных дырок

C_sc – емкость области пространственного заряда

D_{n (p)} – коэффициент диффузии электронов (дырок)

d_ox – толщина подзатворного диэлектрика МДП-структуры

E_C – энергия дна зоны проводимости

E_{D (A)} – энергия донорных (акцепторных) уровней

E_g – ширина запрещенной зоны полупроводника

E_i – энергия середины запрещенной зоны

E_s – величина электрического поля на поверхности

E_t – энергия поверхностных состояний, отсчитанная от середины запрещенной зоны

E_V – энергия потолка валентной зоны

F – энергия уровня Ферми

F_{n (p)} – квазиуровень Ферми для электронов (дырок)

F_s – величина энергии Ферми на поверхности полупроводника

f_{c (v)} – неравновесная функция распределения для электронов в зоне проводимости (в валентной зоне)

G_{n (p)} – темп генерации свободных электронов (дырок) в полупроводнике

DG – темп генерации неравновесных электронов и дырок в полупроводнике

H – оператор Гамильтона

h – постоянная Планка

ћ – постоянная Планка, деленная на 2π

I – сила тока

I_см – величина тока смещения

J – плотность электрического тока

J_p(n) – дырочная (электронная) компонента тока

J_s – плотность тока насыщения диода

J_ген – генерационный ток

J_рек – рекомбинационный ток

j_nE – дрейфовая компонента электронного тока

j_nD – диффузионная компонента электронного тока

j_pE – дрейфовая компонента дырочного тока

j_pD – диффузионная компонента дырочного тока

j_{п/п (Me)} – плотность тока термоэлектронной эмиссии с поверхности полупроводника (металла)

L_D – длина экранирования Дебая

L_p – диффузионная длина

m₀ – масса изолированного электрона

m_{n (p)}^* – эффективная масса электрона (дырки)

N_{C (V)} – эффективная плотность состояний в зоне проводимости (в валентной зоне)

N_{D (A)} – концентрация легирующей донорной (акцепторной) примеси

N_M – плотность зарядов на металлической плоскости единичной площади

N_ss – плотность моноэнергетических состояний

N_t – концентрация рекомбинационных центров; плотность поверхностных состояний

n_n – неравновесная концентрация электронов как основных носителей в полупроводнике n-типа

n_n0 – равновесная концентрация электронов как основных носителей в полупроводнике n-типа

n_p – неравновесная концентрация электронов как неосновных носителей в полупроводнике p-типа

n_p0 – равновесная концентрация электронов как неосновных носителей в полупроводнике p-типа

Dn – избыточная концентрация электронов

n_i – собственная концентрация носителей заряда

n_s – поверхностная концентрация электронов

p_n – неравновесная концентрация дырок

p_n0 – равновесная концентрация дырок

p_s – поверхностная концентрация дырок

Q – электрический заряд на единицу площади

Q_B – заряд ионизованных доноров и акцепторов в ОПЗ на единицу площади

Q_M – заряд на металлическом электроде

Q_n – заряд свободных электронов

Q_sс – заряд в области пространственного заряда

Q_ss – заряд поверхностных состояний

R – темп рекомбинации

R_н – сопротивление нагрузки

R_D – дифференциальное сопротивление диода по постоянному току

r_D – дифференциальное характеристическое сопротивление диода

S – площадь

Т – абсолютная температура

T_e – электронная температура

t – время

U – потенциальная энергия электронов; разность потенциалов

U_к – контактная разность потенциалов

V – объем кристалла

V_G – напряжение, приложенное к затвору полевого транзистора

V_FB – напряжение на затворе МДП-структуры, соответствующее нулевому значению поверхностного потенциала в полупроводнике

V_ox – напряжение, приложенное к оксиду

V_T – пороговое напряжение на затворе

W – толщина квазинейтрального объема базы диода или транзистора

υ – скорость

x, y, z – пространственные координаты

 

b = q/kT

Γ_{n (p)} – избыток электронов (дырок)

g – коэффициент рекомбинации

ε – относительная диэлектрическая проницаемость

e₀ – электрическая постоянная

e_s – относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника

κ – коэффициент переноса

λ – длина свободного пробега; длина волны света

μ_{n (p)} – подвижность электронов (дырок)

ν – частота света

r – удельное сопротивление

σ – удельная электрическая проводимость

σ_n(p) – электронная (дырочная) компонента проводимости

t – время жизни неравновесных носителей

t_м – время релаксации Максвелла

τ_n – время жизни неосновных носителей в области пространственного заряда

υ – скорость

Ф – термодинамическая работа выхода

Ф_Ме – термодинамическая работа выхода из металла

Ф_n(p) – термодинамическая работа выхода в полупроводниках n(p)-типа

φ – электрический потенциал

φ₀ – расстояние от уровня Ферми до середины запрещенной зоны в квазинейтральном объеме полупроводника

Dj_ms – контактная разность потенциалов

φ_n(p) – объемное положение уровня Ферми

χ – электронное сродство полупроводника

κ – коэффициент переноса

ψ – волновая функция

ψ_s – поверхностный потенциал

ω – частота измерительного сигнала