Биполярный транзистор

 

E_к E_C – напряжение источника питания коллекторной цепи

h₁₁ – входное сопротивление при коротком замыкании на выходе

h₂₂ – выходная проводимость при холостом ходе во входной цепи

h₁₂ – коэффициент обратной связи при холостом ходе во входной цепи

h₂₁ – коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе

I_К I_к I_C – ток коллектора

I_Б I_б I_B – ток базы

I_Э I_э I_E – ток эмиттера

I_КБ0 I_к0 I_CB0 – обратный ток коллектора

I_ЭБ0 I_э0 I_EB0 – обратный ток эмиттера

– ширина обедненной области биполярного транзистора

R_б R_B – сопротивление в цепи базы

r_б – объемное сопротивление базы

r_б r_bb – сопротивление базы

r_э – сопротивление эмиттерного перехода

r_к – сопротивление коллекторного перехода

U_кб U_CB – напряжение между коллектором и базой

U_кэ U_CE – напряжение между коллектором и эмиттером

U_эб U_EB – напряжение между эмиттером и базой

W – ширина базы биполярного транзистора

y₁₁, y₂₂– входная и выходная проводимости

y₁₂, y₂₁ – проводимости обратной и прямой передач

z₁₁, z₂₂ – входное и выходное сопротивления

z₁₂, z₂₁ – сопротивления обратной и прямой передач

α – коэффициент передачи тока эмиттера

β – коэффициент усиления

μ_эк – коэффициент обратной связи эмиттер-коллектор

γ – коэффициент инжекции, или эффективность эмиттера

χ - коэффициент переноса

η – коэффициент неоднородности базы