Полевой транзистор

 

С_ox – удельная емкость подзатворного диэлектрика

I_с I_D – ток стока

I_з I_G – ток затвора

I_DS – ток канала исток-сток

R₀ – омическое сопротивление

R_i – внутреннее сопротивление

S – крутизна характеристики

U_зи U_GS – напряжение затвор‑исток

U_си U_DS – напряжение исток – сток

U_зс U_DG – напряжение сток – затвор

U_{ЗИ пор} U_пор U_{GS (th)} V_T – пороговое напряжение

U_{ЗИ отс} U_отс U_{GS (off)} – напряжение отсечки

V_ox – падение напряжения на окисном слое

V_Т - пороговое напряжение

V_SS – напряжение, приложенное к подложке

m – коэффициент усиления