| Параметр | Обозначение | Si | Ge | GaAs | InSb | |
| Ширина запрещенной зоны, эВ | 300 К | Eg | 1,12 | 0,66 | 1,43 | 0,18 |
| 0 К | 1,21 | 0,80 | 1,56 | 0,23 | ||
| Подвижность при 300 К, см2∙В-1∙с-1 | электронов | μn | ||||
| дырок | μp | |||||
| Эффективная масса | электронов | mdn* | 1,08 | 0,56 | 0,068 | 0,013 |
| дырок | mdp* | 0,56 | 0,35 | 0,45 | 0,6 | |
| Эффективная плотность состояний в зоне проводимости, см-3 | NC | 2,8∙1019 | 1,04∙1019 | 4,7∙1017 | 3,7∙1016 | |
| Эффективная плотность состояний в валентной зоне, см-3 | NV | 1,02∙1019 | 6,11∙1018 | 7,0∙1018 | 1,16∙1019 | |
| Диэлектрическая постоянная | εs | 11,9 | 16,0 | 10,9 | 17,0 | |
| Электронное сродство | χ | 4,05 | 4,00 | 4,07 | 4,60 | |
| Собственная концентрация носителей, см-3 | ni | 1,6∙1010 | 2,5∙1013 | 1,1∙107 | 2,0∙1016 | |
| Время жизни носителей, с | τ | 2,5∙10-3 | 1,0∙10-3 | 1∙10-8 | 1∙10-8 | |
| Дебаевская длина, мкм | Ld | 0,68 | ||||
| Показатель преломления | n | 3,44 | 4,0 | 3,4 | 3,75 | |
| Температурный коэффициент | α | 2,4∙10-4 | 3,9∙10-4 | 4,3∙10-4 | 2,8∙10-4 |