Зонная диаграмма барьера Шоттки при внешнем напряжении

Рассмотрим, как меняется зонная диаграмма контакта металл – полупроводник при приложении внешнего напряжения V_G, знак которого соответствует знаку напряжения на металлическом электроде. Величина внешнего напряжения при положительном знаке V_G > 0 не должна быть больше контактной разности потенциала Dj_ms, при отрицательном напряжении V_G < 0 она ограничивается только электрическим пробоем структуры. На рисунке 2.5 приведены соответствующие зонные диаграммы при положительном и отрицательном напряжениях на металлическом электроде барьеров Шоттки. Из приведенного рисунка видно, что роль внешнего напряжения в барьере Шоттки сводится только к регулированию высоты потенциального барьера и величины электрического поля в ОПЗ полупроводника.

Рис. 2.5. Зонная диаграмма барьера Шоттки при различных напряжениях на затворе:

а) V_G = 0; б) V_G > 0, прямое смещение; в) V_G < 0, обратное смещение