Будем рассматривать область изменения поверхностного потенциала ψs, когда для зарядов в ОПЗ справедливы соотношения (3.19) и (3.22). Получим форму потенциального барьера ψ(z) для случая инверсии, а для случая обогащения вид будет аналогичный.
Из (3.44) и (3.15) следует, что при βψ > 7
. (3.51)
Непосредственное интегрирование (3.51) приводит к зависимости:
. (3.52)
Для случая обогащения аналогично получаем:
. (3.53)
Потенциал ψ(z) в этой области меняется по логарифмическому закону, в таком случае говорят о логарифмической яме на поверхности полупроводника.