Для определения типа проводимости подложки воспользуемся высокочастотной вольт‑фарадной характеристикой.
Как следует из эквивалентной схемы, приведенной на рисунке 3.13, и вида высокочастотной C‑V кривой при обогащении основными носителями емкость МДП-структуры максимальна и определяется емкостью диэлектрика. В инверсии же емкость МДП‑структуры максимальна. Таким образом, если максимум емкости C‑V кривой лежит в более положительных напряжениях, чем минимум, то подложка изготовлена из полупроводника n‑типа, если же максимум C‑V кривой находится в более отрицательных напряжениях, то подложка изготовлена из полупроводника p‑типа. На рисунке 3.17 приведены для примера высокочастотные ВФХ на n‑ и p‑типах подложки.