Определение толщины подзатворного диэлектрика

Поскольку, как было показано ранее, в обогащении емкость МДП‑структуры определяется только геометрической емкостью диэлектрика C_ox, то:

, (3.106)

где ε_ox – относительная диэлектрическая проницаемость окисла.

Рис. 3.17. Высокочастотные ВАХ МДП‑структур, изготовленных на полупроводниковых подложках n‑ и p‑типа

Отсюда следует, что:

, (3.107)

Напомним, что здесь C_ox – удельная емкость подзатворного диэлектрика, т.е. емкость на единицу площади. Для подстановки в (3.107) экспериментальных значений необходимо сначала пронормировать емкость, т.е. разделить экспериментальное значение емкости на площадь S МДП‑структуры. Как можно видеть из рисунка 3.14, при напряжениях на затворе практически для всех МДП‑структур полная емкость C только на 2‑3% отличается от емкости диэлектрика. Исключение составляют структуры со сверхтонким окислом d_ox < 100 Å, у которых в этой области V_G становится существенным квантование в ОПЗ, и это отличие может достигать 10%.