Влияние объемного сопротивления базы диода на прямые характеристики

База диода на основе p‑n перехода обычно легирована существенно меньше, чем эмиттер. В этом случае омическое сопротивление квазинейтральных областей диода будет определяться сопротивлением базы r_б, его величина рассчитывается по классической формуле: ,

где r – удельное сопротивление, l – длина базы, S – площадь поперечного сечения диода.

В типичных случаях при r = 1 Ом×см, l = 10^-1 см, S = 10^-2 см², r_б = 10 Ом.

При этом падение напряжения U_б на квазинейтральном объеме базы при протекании тока J будет равно:

. (4.14)

Напряжение, приложенное к ОПЗ p‑n перехода, в этом случае уменьшится на величину V_б. С учетом (4.14) вольт‑амперная характеристика диода будет иметь вид:

; (4.15)

Из уравнения (4.15) следует, что по мере роста прямого тока вольт-амперная характеристика p‑n перехода будет вырождаться, то есть ток будет расти не экспоненциально, а более медленно, и в предельном случае на ВАХ появится омический участок.

Определим критерий вырождения, как состояние диода, при котором дифференциальное сопротивление диода станет равно либо меньше омического сопротивления базы диода:

.

Следовательно, величина прямого тока, при котором наступает вырождение вольтамперной характеристики, будет равна: .

Для параметров диода r_б = 10 Ом; j_Т = 0,025 В ток вырождения будет равен: I_выр = 2,5 мA.

На рисунке 4.7 показана эквивалентная схема диода, где объемное сопротивление базы диода представлено в виде резистора, последовательно соединенного с идеальным диодом.

Рис. 4.7. Рисунки, иллюстрирующие влияние сопротивления базы на вольт-амперные характеристики диода при прямом смещении [17, 23, 26]:

а) эквивалентная схема диода; б) ВАХ в линейных координатах; в) ВАХ в логарифмических координатах; г) ВАХ диода 2Д925Б при различных температурах

Пунктирная и сплошная линии, описывающие вольт-амперную характеристику, как в линейных, так и полулогарифмических координатах, сдвинуты друг относительно друга по оси напряжений на величину r_б·I. Для диода 2Д925Б приведены его характеристики при различных температурах, при этом отчетливо виден линейный участок на ВАХ. Таким образом, у реальных диодов омический участок на ВАХ составляет основную часть характеристики.