Запишем уравнение Пуассона для ОПЗ полупроводника р‑типа, находящегося в неравновесных условиях, в виде:
. (6.48)
Здесь n и р – неравновесные концентрации электронов и дырок, описываемые соотношением (6.37), ND+ и NA– – концентрации ионизованных доноров и акцепторов. Подставляя (6.37) в (6.48) и учитывая, что в квазинейтральном объеме
,
получаем аналогично по сравнению с равновесным случаем:
. (6.49)
Проводя интегрирование уравнения (6.49), получаем первый интеграл неравновесного уравнения Пуассона в виде:
. (6.50)
Обозначим F(ψ, φ0, φc) величину, равную
. (6.51)
Знак электрического поля Е выбирается так же, как и в равновесном случае. Если ψs > 0, то Е положительно, если ψs < 0, поле Е отрицательно.
Согласно теореме Гаусса величину электрического поля на поверхности Es однозначно определяет заряд Qsc в ОПЗ:
, (6.52)
где LD – дебаевская длина экранирования, определяемая соотношением:
.
Для области инверсии, в которой работает МДП‑транзистор, выражение для заряда Qsc значительно упрощается. Действительно, поскольку величина ψs положительна и велика, из (6.51) и (6.52) следует, что заряд Qsc равен:
. (6.53)
Заряд электронов Qn в канале определяется разностью между полным зарядом Qsc и зарядом ионизированных акцепторов QВ:
. (6.54)
Для области слабой инверсии пока ионизованных акцепторов
. (6.55)
Для области сильной инверсии, когда , заряд ионизованных акцепторов не зависит от поверхностного потенциала ψs. Его величина равна:
. (6.56)
Здесь и далее мы приняли для простоты, что концентрация основных носителей дырок pp0 в квазинейтральном объеме равна концентрации легирующей акцепторной примеси NA. Выражения для заряда свободных носителей Qn в канале получаем из (6.53 – 6.56).
Для области слабой инверсии
. (6.57)
Для области сильной инверсии
. (6.58)
В начале области сильной инверсии, когда , для выражения заряда электронов Qn в канале необходимо пользоваться соотношением (6.54), подставляя в него значения Qsc из (6.53), а значения QВ – из уравнения (6.56).
Таким образом, решение неравновесного уравнения Пуассона даст выражения (6.57, 6.58), описывающие зависимость заряда электронов Qn в инверсионном канале МДП‑транзистора от поверхностного потенциала и квазиуровня Ферми.