Вхідні ВАХ

Вхідними характеристиками транзистора зі СБ є залежності струму емітера I_Е від емітерної напруги U_ЕБ при постійних значеннях колекторної напруги

.

Як відомо, І_Е ≈ І_Е0 (- 1) (9.6)

Із формули 9.6 виходить, що у разі U_КБ=0 струм І_Е = - І_{Е 0} і при наявності прямої напруги U_ЕБ струм І_Е буде збільшуватися за експоненціальним законом

І_Е ≈ - І_Е0∙,

та проходити через емітерний перехід і базу, тому що колекторний перехід закритий (рис 9.7). Така ВАХ є аналогічною ВАХ p-n переходу.

Якщо напруга U_КБ ≠ 0, то ВАХ переміщується ліворуч. Це пояснюється зменшенням товщини бази W завдяки екстракції дірок із емітера через базу в колектор і тому збільшенням градієнта концентрації та струму емітера І_Е. Але вплив напруги U_КБ на струм І_Е є малим і тому вхідні ВАХ, зняті при U_КБ ≠ 0, майже збігаються. Тому в довідниках наводять дві ВАХ – одну при U_КБ = 0, а іншу при U_КБ ≠ 0.

Рис. 9.7. Практичні вхідні ВАХ БТ зі СБ:

При нульових і малих прямих і зворотних напругах U_ЕБ емітерний перехід є закритим, проте буде існувати малий зворотній струм I_ЕБ0.

Температурний дрейф вхідних характеристик значний: з ростом температури при прямих напругах U_ЕБ струм I_Е збільшується і характеристики зміщуються вліво, при зворотних напругах U_ЕБ зворотній струм I_ЕБ0 також збільшується (рис. 9.8.). Тобто температура в схемі зі спільною базою на вхідні ВАХ має суттєвий вплив.

Рис. 9.8. Вплив температури на вхідні ВАХ БТ зі СБ

Вхідні характеристики силіцієвих транзисторів зміщені від початку координат в бік прямих напург на 0,6...0,7В , германієвих – на 0,2...0,4В.

9.2.2. Вольт-амперні характеристики БТ зі СЕ