Позначивши постійні коефіцієнти

=S, a =Gі ,

 

можна записати dI1=SdUзв+GіdUcв .

 

Замінивши малі прирости змінних dUзв та dUcв малими гармонічними коливаннями з амплітудами Um зв і Um св, запишемо для гармонічного струму

Im с=SUm зв+GіUm св (17.2)

 

 

Коефіцієнти підсилення за струмом h21 (α та β) біполярних транзисторів для ПТ застосовувати не можна, оскільки струм затвору (вхідний струм) практично відсутній.

Вхідна провідність ПТ y11 на низьких частотах дорівнює нулю, але із зростанням частоти буде зростати завдяки впливу небажаної ємності Сзв.

Так само на низьких частотах дорівнює нулю і прохідна провідність зворотного передавання y12. Із зростанням частоти вона зростатиме завдяки впливу ємності Ссз.

 

17.2 Знаходження параметрів ПТ за ВАХ

 

Крутість передавальної характеристики ПТ визначає вплив напруги на затворі на струм стоку ІС. Вона чисельно дорівнює зміні струму DІС в мА при зміні напруги на затворі DUЗВ на 1В і вимірюється в мА/В.

Крутість можна знайти з передавальної або з вихідних статичних характеристик (рис. 17.1)

Рис.17.1. Знаходження параметра S за вихідними ВАХ

 

S= ;

 

де Uзв=Uзв2–Uзв1,

Іс – приріст струму Іс .

 

Для ПТ з p-n переходом

Іс=Іс макс(1-)2,

тому можна записати

S==(1-),

де Іс макс=,

Rк – опір каналу.

Тоді S=(1-),

тобто крутість залежить від опору каналу.

Для більшої ефективності управління струмом стоку необхідно збільшувати крутість. Збільшення крутості (зменшення опору каналу) досягають зменшенням відношення довжини каналу l до його ширини h , тобто треба мати короткий та широкий канал.

Максимальна ширина каналу відповідає максимальній крутості і при Uзв=0

 

Sмакс=.

 

Вихідна провідність Gi визначає вплив напруги стоку Uсв на струм стоку Іс. Вона чисельно дорівнює зміні струму стока DIC при зміні напруги на стоці DUсв на 1В і може бути знайдена із вихідних ВАХ (рис. 17.2)

 

Рис. 17.2. Знаходження вихідної провідності ПТ за вихідною ВАХ

 

Uзв А=const
Gi= ,

 

де Uсв – приріст напруги Ucв,

Іс – приріст струму Іс .

 

При навантаженні транзистора резистором RН його параметри S, Ri та змінюються і позначаються Sн, Rнi та н.

Поділимо складові формули (17.2) на Um зв

 

=S+×Gі