Полупроводниковый ключ должен обеспечить коммутацию значительных токов и при этом выдерживать (блокировать) значительные напряжения в закрытом состоянии. Разработчики силовых схем преобразователей мечтают об идеальном ключе. Такой ключ должен при нулевой мощности, потребляемой от схемы управления, мгновенно переключать бесконечно большие токи и блокировать бесконечно большие напряжения, иметь нулевые остаточные напряжения и токи утечки. Развитие технологии силовых ключей привело к созданию ключей следующих основных типов:
- биполярный силовой транзистор (BPT – Bipolar Power Transistor),
- полевые силовые транзисторы (MOSFET –Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),
- биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT – Insulated Gate Bipolar Transistor),
- статические индукционные транзисторы (SIT – Static Induction Transistor),
- однооперационные тиристоры (SCR – Silicon Controlled Rectifier),
- полностью управляемые тиристоры (GTO – Gate Turn Off).