Реферат Курсовая Конспект
Структура, принцип действия, статические характеристики - раздел Электроника, Биполярный транзистор Биполярный Транзистор – Это Полупроводниковый Прибор С Двумя Взаимодействующи...
|
Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими переходами и тремя выводами. Название прибора “транзистор” состоит из двух английских слов: transfer – переносить, преобразовывать и resistor – сопротивление. В биполярных транзисторах, которые называют просто транзисторами, перенос электрического тока в кристалле полупроводника и усиление сигнала обусловлены движением носителей заряда обеих полярностей – электронов и дырок, поэтому он называется «биполярным».
Структура биполярного транзистора представляется тремя областями с чередующимися типами проводимости. Порядок чередования областей определяет транзисторы с прямой () и обратной () проводимостью. Упрощенные схемы структур и условные графические изображения этих типов транзисторов показаны на рисунке 2.1.
Рисунок 2.1 - Структуры транзисторов: прямой проводимости (а) и обратной проводимости (с). Условные обозначения транзисторов прямой проводимости (b) и обратной проводимости (d)
На месте контакта и образуется два - перехода: эмиттерный и коллекторный. Взаимодействие между ними будет обеспечено тогда, когда толщина области между переходами, которая называется базой (Б), будет меньше диффузионной длины пробега неосновных носителей заряда. Примыкающие к базе области чаще всего неодинаковы. Одну из них изготавливают так, чтобы она обеспечивала эффективную инжекцию носителей в базу. Эта область обычно легирована значительно сильнее, чем база, и называется эмиттером (Э). Другая область должна наилучшим образом осуществлять экстракцию (отсос) носителей из базы и называется коллектором (К). Соответственно, примыкающий к эмиттеру переход называется эмиттерным, а примыкающий к коллектору – коллекторным. Рассмотрим работу транзистора на примере структуры прямой проводимости (рисунок 2.2).
Рисунок 2.2 -. Структура транзистора прямой проводимости и
потенциальная диаграмма
Подсоединим к транзистору внешние источники напряжения и . База является общим электродом для обоих источников, поэтому такое включение называют схемой включения с общей базой (ОБ). Полярность источников подбирают так, чтобы эмиттерный переход был смещен в прямом направлении, а коллекторный - в обратном. Под действием внешних источников потенциальный барьер на эмиттерном переходе уменьшается на величину, а на коллекторном - увеличивается на величину, как видно из потенциальной диаграммы показанной на рисунке 2.2.
Через низкий потенциальный барьер в эмиттерном переходе дырки переходят в базу (поток 1, ток эмиттера ), диффундируют через нее, достигают коллекторного перехода, попадают в ускоряющее поле коллекторного перехода и переносятся этим полем в область коллектора (поток 2, ток коллектора ). Перемещаясь через базу, часть дырок встречается с электронами и рекомбинируют с ними, в результате чего поток 1 разделяется на две части - поток 2 и поток 3 (ток базы ). Эти потоки являются основными, определяющими работу транзистора. Уравнения баланса токов можно записать в виде
. (2.1)
Усилительные свойства транзистора определяются интегральным коэффициентом передачи по току при схеме включения с общей базой
. (2.2)
Он должен быть как можно ближе к единице, а это возможно за счет уменьшения тока базы, который возникает вследствие рекомбинации носителей заряда. Для уменьшения вероятности рекомбинации базовую область делают слабо легированной, уменьшают ширину базовой области, создают ускоряющее поле в базовом слое.
Наличие коллекторного перехода, включенного в обратном направлении, приводит к появлению неуправляемого тока - перехода (поток 4), он возникает за счет дрейфа неосновных носителей (электронов). С учетом этого тока, который называется неуправляемым током коллектора , можно записать
, (2.3)
. (2.4)
– Конец работы –
Эта тема принадлежит разделу:
Биполярный транзистор... Структура принцип... Графический анализ процесса усиления электрического сигнала На биполярном...
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Структура, принцип действия, статические характеристики
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Твитнуть |
Новости и инфо для студентов