Телекоммуникации.

 

Главным образом эффект возникает при построении ИВЭП (источников вторичного электропитания).

 

Традиционная система вторичного электропитания строится по следующему принципу:

 

 

 

НСН – непрерывный стабилизатор напряжения последовательного или параллельного типа;

В – выпрямитель;

Тр – трансформатор;

Н – нагрузка.

 

 

Проблемы:

· трансформатор питается от сети с частотой 50Гц, очень существенные затраты ресурсов по технической стали и меди;

· КПД непрерывного стабилизатора напряжения в наилучшем случае не больше 70%, типовое значение равно 50%.

 

Строится новая система ИВЭП:

 

 

 

ПН – преобразователь напряжения, преобразует постоянное напряжение в переменное, стабилизирует напряжение на нагрузке за счет изменения ШИМ, работает в импульсном режиме.

КПД=0,8÷0,95.

 

Трансформатор работает на больших частотах, следовательно, снижаются затраты ресурсов.

 

Современные силовые полупроводниковые приборы.

 

 

Работают в импульсном, ключевом режиме (т.к. малые потери мощности).

 

Обычно I_max >>I_обр (в 1000 раз)

U_max>>U_ост

 

P_д –динамические потери;

Pc – статические потери.

 

 

 

ССППП – современные силовые полупроводниковые приборы. Выпускаются на материалах: кремниевые (Si) и карбидкремниевые (SiC).

Карбидкремниевые (SiC) – частотные свойства как минимум в 2 раза лучше и вырождается при температурах в 2,5 раза больше (около 300˚С). Время включения и выключения в 2÷3 раза меньше.

 

 

Диоды Шоттки – высокочастотные с малым падением напряжения в открытом состоянии (Uост = 0,3В; Umax = 1кВ).

PIN – высокочастотные, высоковольтные, высокоточные выпрямительные диоды, но Uост не менее 1В.

IJBT – биполярные транзисторы с изолированным затвором.

MOSFET – полевые транзисторы.

SCR – полууправляемый тиристор.

GTO, IGCT – полностью управляемый тиристор.

MCT – полностью управляемые тиристоры.

 

Статические параметры основных полупроводниковых приборов.