ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ

ЭЛЕМЕНТЫ

ЭЛЕКТРОННЫХ

СХЕМ

В данной главе рассматриваются следующие элементы электронных схем, указанные на рис. 1.1.

Много места отведено описанию устройства и основ­ных физических процессов, характеристикам и парамет­рам элементов. Приводятся и математические модели этих элементов, дается анализ схем с рассматриваемыми эле­ментами. Указываются особенности практического приме­нения этих элементов.

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

Краткое описание

Полупроводниковых материалов

В полупроводниках присутствуют подвижные носите­ли заряда двух типов: отрицательные электроны и поло­жительные дырки. Чистые (собственные) полупроводники в полупровод­никовых приборах практически… Если в кристаллическую решетку 4-валентного крем­ния ввести примесь 5-валентного элемента (фосфора Р, сурьмы Sb,…

Устройство и основные физические процессы

Структура полупроводникового диода с электронно-дырочным переходом и его условное графическое обозна­чение приведены на рис. 1.2, а, б. Буквами р и п обозначены слои полупроводника с проводимостями соответственно…

Прямое и обратное включение р-п-перехода. Идеализиро­ванное математическое описание характеристики перехода.

Подключим к р-n-переходу внешний источник напряжения так, как это показано на рис. 1.9. Это так называемое пря­мое включение р-n-перехода. В… барьер уменьшится на величину напряжения и (рис. 1ЛО), дрейфовый поток уменьшится, р-n-переход перейдет в…

Невыпрямляющий контакт металл-полупроводник. Для

Получение невыпрямляющих контактов — не менее важная задача, чем получение p-n-переходов. Для кремни­евых приборов в качестве металла контактов… Обозначим работу выхода для металла через Ам, а для полупроводника — через Аn.… Введем в рассмотрение так называемую контактную разность потенциалов fмп: fмп = fм - fп. Для определенно­сти обратимся…

Характеристики и параметры полупроводникового диода

Вначале будем полагать (см. рис. 1.25), что обратное на­пряжение (и < 0) по модулю меньше напряжения пробоя p-n-перехода. Тогда в первом… Тепловой ток is обусловлен генерацией неосновных носителей в областях, прилегающих к области р-и-пере-хода. Однако…

Использование вольт-амперной характеристики диода для определения его режима работы

В схеме, изображенной на рис. 1.33, необходимо опре­делить ток, протекающий через диод, напряжение на ди­оде и напряжение на резисторе. Здесь ии — напряжение источника напряжения (извест­ная величина). Запишем уравнение по 2-му закону Кирх­гофа для…

Математические модели диодов и их использование для анализа электронных схем

Математическая модель диода — это совокупность эк­вивалентной схемы диода и математических выражений, описывающих элементы эквивалентной схемы.… Управляемый источник тока iy моделирует статическую вольт-амперную характеристику: Математическое описа­ние тока iy и…

Классификация

И система обозначений

Система обозначений ПД установлена отраслевым стандартом ОСТ 11336.919-81, а силовых полупроводни­ковых приборов — ГОСТ 20859.1-89. В основу системы… Первый элемент (цифра или буква) обозначает исход­ный полупроводниковый… (разбраковку по параметрам) приборов, изготовленных по единой технологии.