Ток коллектора.

 

1) Iк = a / 1- a × Iб + 1 / 1- a × Iкбо = b × Iб + (1+b)× Iкбо » b × Iб,

где : a - коэфициент передачи по току (т.е. коэфициент передачи тока из эмиттерной цепи в коллекторную) в схеме с ОЭ.

Т.к. b>>1, то в схеме с ОЭ возможно усиление по току (потому, что Iб<<Iк !).

 

2) Ток базы закрытого транзистора

При Uбэ = 0 (транзистор закрыт) Iб » Iкбо, т.е. из базы вытекает ток, » обратному тепловому току перехода К-Б.

 

3) Входное сопротивление

Тогда ток базы, который также зависит и от Uбэ можно примерно определить так:

Iб = Iк × b , где b = h_{21 э}

 

4) Коэфициент усиления по напряжению

 

 

5) Коэфициент усиления по току

 

 

6) Выходное сопротивление

 

· Режим насыщения

 

В этом режиме оба перехода смещены в прямом направлении.

Внешним проявлением режима насыщения является отсутствие зависимости Iк от Iб. Для схемы с ОЭ существует некоторый “граничный” ток Iбн, при котором достигается насыщение коллекторного тока

Iкн = b × Iбн

При дальнейшем увеличении тока базы ток коллектора не увеличивается и может быть введен некоторый коэфициент, характеризующий :

 

1) Степень насыщения

N = Iб / Iбн Þ Iкн = N × Iк

 

2) Входное сопротивление

Rвх_н = Rвх / b , где Rвх - входное сопротивление в активной линейной области.

 

3) Выходное напряжение

Uвых = Uкэн » Uбэ

Это так называемое остаточное напряжение на участке К - Э, слабо зависящее от величины коллекторного тока.

 

4) Выходное сопротивление

Rвых » rкэ » Rвых / b » Rк / b ,где Rвых - выходное сопротивление в активной линейной области.

 

· Режим отсечки

В этом режиме оба перехода смещены в обратном направлении.

1) Iэ » 0

2) Iк » Iкбо

3) Iб » - Iкбо

Границей режима отсечки является обратное напряжение (напряжение отсечки) на переходе Б-Э (Uбэ_обр), при котором Iэ = 0 !

В большинстве цифровых схем Uбэ_обр такое, при котором Iб уменьшается в 100-200 раз !!